三维相变存储器落户，武汉加快打造全球存储之都

近日，武汉集成电路产业版图再次拓展，多个产业项目签约落地，包括广钢气体电子气体华中区域总部项目、卓瓷科技武汉研发生产基地项目、武汉市集成电路技术与产业促进中心（ICC）、三维相变存储器研发及产业化项目、聚芯微集成电路设计项目、微崇半导体集成电路量测设备项目等，涉及EDA、存储、零部件、材料、设备、制造、封测等多个细分领域领域。其中，三维相变存储器研发及产业化项目备受业界关注。

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新型存储器项目落户武汉

此次签约的三维相变存储器研发及产业化项目由芯连鑫（武汉）半导体有限公司（以下简称“芯连鑫半导体”）投资。

据介绍，芯连鑫半导体武汉“三维相变存储器”项目将在武汉经开区建设研发中心，聚焦于突破现有存储技术瓶颈，专注于新型存储器PCM的解决方案，在AI算力网络、数据中心、智能汽车领域等方面提供有力支撑。

三维变相存储是一种结合三维堆叠结构与相变材料特性的新型非易失性存储技术。其核心是通过垂直堆叠存储单元，利用相变材料在晶态（低阻态）与非晶态（高阻态）之间的可逆相变实现数据存储，并借助三维结构提升存储密度和性能。

相变存储是利用相变材料的物理状态变化来存储数据，而三维相变存储则是将内部容量从二维“搭平房”升级为三维“盖楼房”。现阶段的三维相变存储产品还在迭代的过程中，整体性能介于传统闪存和内存之间，简单来说就是断电不失去数据的同时，速度比闪存快但比内存慢，容量比闪存小但比内存大，成本比闪存高但比内存低。

芯连鑫半导体有关负责人透露，其研发的PCM产品，通过材料创新和三维堆叠技术实现存储密度与速度的双重突破。据“武汉经开区介绍”，作为武汉“光芯屏端网”产业集群的重要补充，项目不仅将配套开发内存控制芯片、智能网卡光模块等关键器件，更计划构建从芯片设计到模组集成的完整产业链。

目前，芯连鑫半导体已与广西天山电子等企业建立战略合作，其研发成果将率先应用于AI服务器和车载智能系统。业内人士分析，三维相变存储器的产业化有望重构现有存储市场格局，为5G、元宇宙等前沿领域提供底层技术支撑。

据“华中科技大学集成电路学院”介绍，三维相变存储器是目前最有竞争力的新型存储技术之一，该技术可以实现存储容量和擦写速度的双重突破，满足信息量爆发增长对存储器的性能需求。

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武汉加快建设全球存储之都

武汉市高度重视集成电路产业发展，经过多年发展，已构建起覆盖芯片设计、制造、封测及应用等集成电路核心环节的完整产业链。今年初，湖北省省委书记王忠林在政府工作报告中提到，2024年，武汉光谷存储芯片产值已突破600亿元，规模居全国第二。

作为近年来武汉重点聚焦的集成电路细分领域，武汉存储芯片业已经形成了以长江存储、武汉新芯、长江万润半导体等企业为核心的存储芯片研发与制造产业集群。

其中长江存储是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业，长江存储于2017年成功设计制造了中国首款3D NAND闪存，2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

目前，长江存储主要为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

长江万润半导体成立于2022年12月，主要从事存储器的研发、设计与销售，重点布局消费级、工业级、车规级存储领域，致力于将“长江万润”打造成为行业知名的存储品牌。

武汉新芯则是国内知名的半导体特色工艺12英寸晶圆代工企业，聚焦于特色存储、数模混合和三维集成等业务领域。其中在特色存储领域，武汉新芯是中国大陆规模最大的NOR Flash制造厂商。

目前，武汉新芯正在冲刺资本市场。上交所官网显示，3月31日，审核状态为“已问询”的武汉新芯科更新披露了招股书。招股书显示，2024年1至9月，该公司营业总收入达31.46亿元，归母净利润为1.38亿元。

当前，武汉市正在加快打造千亿级集成电路产业集群，加快建设全球存储之都。以武汉光谷为例，据悉，2025年，武汉光谷将启动建设存储器千亿产业创新街区建设，完善三维存储工艺验证、研发中试、先进封装等高水平服务平台。

展望未来，武汉将进一步抢抓产业周期和新赛道机遇，结合武汉所能和国家所需，瞄准存储器等主攻方向，提升关键环节配套能力，着力补齐短板，全力打造千亿集成电路产业集群。