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金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有增厚层的半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN 119786492 A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一字元线结构，包括一字元线介电层、一字元线导电层以及一字元线罩盖层，该字元线介电层位于该基底中并包括一U形轮廓，该字元线导电层位于该字元线介电层上且位于该基底内，该字元线罩盖层位于该字元线导电层上；一上增厚层，包括一U形轮廓，位于该字元线导电层和该字元线罩盖层之间以及位于该字元线介电层和该字元线罩盖层之间；一下罩盖层，位于该基底上且邻近该字元线介电层；以及一上罩盖层，覆盖该下罩盖层和该字元线结构。该上增厚层和该字元线介电层的各上表面呈共面且高于该基底。
本文源自：金融界
作者：情报员
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