北京
金融界 2025 年 4 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡中微亿芯有限公司申请一项名为“具备低噪声高瞬态增强能力的高精度 LDO 电路”的专利，公开号 CN 119759155 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种具备低噪声高瞬态增强能力的高精度 LDO 电路。其包括：LDO 电路本体；参考电压生成单元，用于提供 LDO 电路本体工作时所需的参考电压，包括用于生成基准电压的带隙基准以及用于对基准电压进行抗噪处理的精确低通滤波器，其中对基准电压进行抗噪处理时至少包括依次进行的电压缓冲处理以及低通滤波处理，对基准电压进行电压缓冲处理后生成对应的基准缓冲电压；对生成的基准缓冲电压进行低通滤波处理时，至少去除基准缓冲电压的电源噪声和/或地弹干扰，以在低通滤波处理后生成对应的参考电压，并将生成的参考电压加载到 LDO 电路本体。本发明具有较高的抗噪声能力以及瞬态增强能力，提高输出电压的精度与稳定性。
天眼查资料显示，无锡中微亿芯有限公司，成立于2013年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6865.851266万人民币，实缴资本6865.851266万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡中微亿芯有限公司参与招投标项目174次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息201条，此外企业还拥有行政许可28个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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