北京
金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司申请一项名为“种单晶硅生长系统及生长控制方法”的专利，公开号 CN 119753823 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种单晶硅生长系统及生长控制方法，单晶硅生长系统中单晶硅生长装置包括坩埚、导流筒和支架，支架用于支撑导流筒悬挂于坩埚内；坩埚用于承载熔融单晶硅，熔融单晶硅自发产生辐射光，并且辐射光传输至导流筒的底部；导流筒还包括一个第一孔和至少一个第二孔，第一孔和第二孔贯穿底部；其中，第一孔的开口面积大于第二孔的开口面积；在反射结构处将辐射光反射至熔融单晶硅的液面，在第二孔处辐射光射出；图像采集单元通过第一孔获取熔融单晶硅的液面图像；控制单元与图像采集单元连接，控制单元根据液面图像判断熔融单晶硅的液面与导流筒的距离，采用本实施例提供的技术方案，简化单晶硅生长系统的同时还保证对液口的准确判断。
天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币，实缴资本3035万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息219条，此外企业还拥有行政许可192个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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