北京
金融界2025年3月25日消息，国家知识产权局信息显示，力特半导体（无锡）有限公司取得一项名为“瞬态电压抑制器件”的专利，授权公告号CN 222655648 U，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本申请公开了用于瞬态电压抑制器削波器的钝化设计，公开了一种瞬态电压抑制器器件、装置、结构及其相关方法。该器件包括基板硅层、第一硅基区层和第二硅基区层，基板硅层被耦合到第一硅基区层并耦合到第二硅基区层。该器件还包括创建在第一硅基区层中的第一吸杂层、创建在第二硅基区层中的第二吸杂层，耦合到第一硅基区层和第一吸杂区的第一金属化层，以及耦合到第二硅基区层和第二吸杂层的第二金属化层。该器件还包括形成在第一硅基区层和第二硅基区层以及基板硅层中的个或多个隔离沟槽其中个或多个隔离沟槽中的每个隔离沟槽包括多层钝化层。
天眼查资料显示，力特半导体（无锡）有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7470万美元，实缴资本7470万美元。通过天眼查大数据分析，力特半导体（无锡）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目22次，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可52个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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