北京
金融界2025年3月21日消息，国家知识产权局信息显示，无锡明祥电子有限公司取得一项名为“大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件”的专利，授权公告号 CN 222638980 U，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件，包括：重掺杂的第一导电类型衬底；在第一导电类型衬底背面设有重掺杂的第二导电类型集电区，在第二导电类型集电区背面设有集电极金属；在第一导电类型衬底正面设有第一导电类型缓冲层；在第一导电类型缓冲层上设有轻掺杂的第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中的顶部设有栅极沟槽、轻掺杂的第二导电类型体区和分压环；其中，栅极沟槽和第二导电类型体区位于器件的有源区，分压环位于器件的终端保护区；多个栅极沟槽并行设置，在多个并行的栅极沟槽的两侧分别设有一个第二导电类型体区；分压环的数量为至少一个；本实用新型具有反向击穿电压高、正向电流能力大等优点。
天眼查资料显示，无锡明祥电子有限公司，成立于1996年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4500万人民币，实缴资本102.5万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡明祥电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可9个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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