北京
金融界2025年3月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种沟槽、锗硅外延层及PMOS器件的形成方法”的专利，公开号 CN 119630049 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种沟槽、锗硅外延层及PMOS器件的形成方法，其中，沟槽的形成方法包括：提供一基底；对基底进行干法刻蚀以形成一沟槽；以及，对基底进行湿法刻蚀以对沟槽进行调整，在湿法刻蚀过程中，对湿法刻蚀的工艺条件进行调整。通过在湿法刻蚀的过程中调整工艺条件，可以实现对于干法刻蚀形成的不够优化的沟槽的形貌进行调整，实现更精确的控制沟槽的形貌特征，进而提高锗硅外延层生长的形貌精确性，优化PMOS器件性能；还可以实现对沟槽的不同尺寸进行协同调节，同时修正沟槽的至少两个方向上的尺寸。
天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息424条，此外企业还拥有行政许可211个。
本文源自金融界
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