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作为国内氮化镓领域的佼佼者，英诺赛科自2017年成立以来，已快速占据氮化镓市场绝对份额。以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，2023年市占率高达42.4%。
为了抓住市场机遇，英诺赛科不断加大产能扩张和技术储备力度。截至2024年6月30日，英诺赛科已拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月12500片晶圆。作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能够使每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。
近日，据国家知识产权局公开信息显示，英诺赛科（深圳）半导体有限公司申请一项名为“一种LLC电路和开关电源”的创新专利，公开号为CN 119254023 A，该专利申请于2024年10月。
据悉，英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线，也是目前全球唯一具备量产全电压谱系的硅基板氮化镓半导体产品的公司。此次英诺赛科申请的专利提出了一种全新的LLC电路与开关电源设计方案，该方案集成了逆变电路、谐振电路以及预设数量的整流电路，通过独特的电路设计，实现了对高频交流方波的有效转换与利用。
在谐振电路部分，该专利创新性地采用了第一电感、第二电感、N个第一原边绕组、N个第二原边绕组以及预设数量的第一副边绕组和第二副边绕组，形成了对称的电路结构。这种对称设置不仅提高了电路的稳定性，更在无需增加共模滤波电路的情况下，显著减少了噪声的产生，从而有效降低了电路成本。
公司近期申请的该创新专利所描述的LLC电路具有高效、可靠等特点，能够在各种工况下保持稳定运行，为用户提供更为优质的电力供应。这对于提升电子产品的整体性能、延长使用寿命以及降低使用成本具有重要意义。
截至2024年12月10日，英诺赛科在全球拥有406项专利及387项专利申请的广泛组合，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域，创造了卓越的价值。
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