存储芯片“冰火两重天”：AI存储空前火热，消费存储仍在过冬

界面新闻记者 | 李彪
界面新闻编辑 | 文姝琪

存储芯片市场最新的行情真实呈现出了“一半是海水，一半是火焰”。

空前火热的一头是人工智能相关的存储产品，HBM（采用3D堆叠将多个DRAM芯片封装在一起的高带宽内存）及先进的DDR5内存芯片，主要应用于当前炙手可热的AI服务器产品之上。

2025年伊始，“存储三巨头”三星、SK海力士、美光均在1月份最新的财报会上表态，今年将继续推动生产更多HBM。

这三家公司总计生产全球近9成以上的存储芯片，目前也是占据HBM市场的主要参与者。据TrendForce报告统计，2023年，SK海力士约占53%的份额排第一，三星占38%，美光约占10%。

而作为HBM最大的受益者，SK海力士在财报中提到，去年营收猛增102%，比公司有史以来最高的2022年营收还高出21万亿韩元，其营业利润也创下历史新高，主要就是靠HBM产品线。公司预测，随着今年科技巨头继续追加AI基建，AI服务器出货量将进一步增长，HBM的需求会持续攀升。公司也将进一步推动扩产，今年增加目前业内最先进的HBM3E的供应量，并推动研发下一代HBM4。

三星、美光也在继续加入HBM的竞赛，大幅扩产以求扩大市场份额。美光此前规划，到2025年，公司要占据HBM市场20%以上的份额。三星内部也押注HBM来摆脱公司旗下存储半导部门遭遇的困境，今年HBM的供应量也将扩大至去年的两倍。

Techinsights的一位海外分析师告诉记者，因为数据中心和AI处理器的需求越来越多，预计HBM今年的出货量将同比增长70%，也会带动DDR5等产品的增长。HBM需求的激增预计将进一步重塑DRAM市场，厂商将优先生产人工智能HBM，而不是非AI的传统DRAM产品。

然而，另一头非AI的传统消费存储产品仍然身处寒冬。

整个存储芯片市场以DRAM内存、NAND Flash闪存两类芯片为主，DRAM约占60%，NAND Flash占40%。自从2022年下半年开始，手机、电脑等消费电子产品遇冷，存储市场出现严重的供过于求，触发存储芯片价格暴跌，导致存储厂商利润腰斩、股价大跌。2023年至2024年上半年，行业公司不得不通过打折降价、主动减产消耗市场现有库存等一系列手段“过冬”。

但智能手机、个人电脑消费电子市场过去一年并未恢复，需求依旧疲软，导致存储芯片市场至今未走出寒冬。今年，年初“存储三巨头”在汇报HBM人工智能产品线火热行情的同时，也都对传统消费存储产品线的现状做出了预警。

美光首席财务官Mark Murphy近日在出席活动时表示，除了HBM、DDR5等人工智能产品线外，价格较低的消费级DRAM在产品结构中仍占有相当比例，加上NAND Flash闪存芯片需求低迷，产能利用率不佳，预计第三财季毛利率将进一步下滑。此前公司已在财报中预测，受消费级内存及闪存产品需求不振的拖累，今年第二财季毛利率将下滑。

TrendForce统计，在2023年时，HBM占DRAM总产值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比预计将超过30%，但如果算上闪存芯片的市场份额，消费电子相关的存储产品依旧占有更大份额。

按照美光CEO Sanjay Mehrotra的说法，虽然有AI拉动存储市场数据中心业务的增长，但占更大市场份额的智能手机、PC消费电子产品依旧疲软，2024年一年来的存储市场复苏整体低于行业预期。

行业也开始减产非AI的传统消费存储产品。 三星与SK海力士都被曝出将在2025年第一季度减产NAND闪存，削减幅度在10%以上。其他厂商也在跟进酝酿减产计划。

一名手机半导体产业链人士告诉界面新闻，今年新年期间的家电国补政策对手机、PC电子产品销售有一定刺激作用，也带动了固态硬盘SSD（基于Nand Flash闪存芯片）、内存条（基于DRAM）销量增长。但由于目前正处于消费电子传统淡季，国补的拉动作用有限。新年过后，固态硬盘SSD价格有所下跌，内存条价格基本维持不变。

界面新闻记者浏览各大电商平台及业内比价网站发现，从去年下半年至今，金士顿、三星的笔记本电脑DDR4内存条产品价格都有下跌，甚至部分DDR5产品也有跌价，固态硬盘SSD产品跌价更加明显。

国内最大的晶圆代工厂中芯国际CEO赵海军在本周财报电话会上预测，2025年消费电子市场行情预计将与2024年“持平”或“温和增长”。业内两家存储模组产品的渠道销售告诉记者，目前存储产品的价格变动不稳定，整体处于低位。在真正的复苏来临前，行业都在谨慎观望产品价格变化，调整销售策略。