北京
金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善通孔底部铜互连金属损伤的方法”的专利，公开号CN 119400753 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种改善通孔底部铜互连金属损伤的方法，包括：步骤一，提供一衬底，衬底上形成有铜互连金属层，在衬底上依次形成缓冲层、蚀刻停止层、层间介质层和定义沟槽开口大小的硬质掩膜层；步骤二，形成光刻胶掩膜层定义通孔大小；步骤三，以光刻胶掩膜层为掩模实施第一蚀刻，调整第一蚀刻的时长以降低层间介质层的刻蚀量；步骤四，去除光刻胶掩膜层后，以硬质掩膜层为掩模实施第二蚀刻，调整第二蚀刻的时长以降低沟槽部分的刻蚀深度和蚀刻停止层的刻蚀量；步骤五，实施第三蚀刻调整通孔底部的形貌直至露出铜互连金属层，完成沟槽部分的刻蚀。有效减少铜互连金属层的损伤，降低通孔接触电阻，改善晶圆边缘区域的沟槽形貌。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2205条，此外企业还拥有行政许可343个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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