北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“一种超结IGBT结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119342851 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种超结IGBT结构及其制备方法，结构包括：第二导电类型外延层及其内的第一导电类型柱形扩散区的掺杂浓度均从上到下递减；第一导电类型阱区、第一导电类型重掺杂区、第二导电类型重掺杂区、栅极、缓冲层和集电极。本发明使超结结构的浓度从上到下递减，抑制集电极注入的空穴被柱形扩散区收集，增强结构导通时的电导调制作用，降低导通压降，优化导通压降和关断损耗的折中关系；同时设置超结结构掺杂浓度浓度线性变化，使电导调制作用均匀变化，提高性能可靠性；另外设置柱形扩散区掺杂浓度变化方式，以适应工艺水平并提高变化均匀性；最后掺杂浓度渐变的外延层，减少制备过程中掺杂工艺调节步骤，提高制备效率。
天眼查资料显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1685.2302万人民币，实缴资本1628.4247万人民币。通过天眼查大数据分析，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了4家企业，知识产权方面有商标信息13条，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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