台积电大举投资之际 三星据悉将砍掉代工部门一半支出！

财联社1月24日讯（编辑 马兰）高端芯片代工厂的竞争正趋于白热化，这促使代工厂增加资本支出，以满足客户对最新节点的生产需求。然而，在这一大势之下，三星据称将削减其代工部门的支出。

据媒体引述消息人士的话称，三星代工部门将在新的一年中将资本支出削减一半以上，仅拨款5万亿韩元（约35亿美元），而去年这一数字为10万亿韩元。过去近10年来，三星每年都在芯片代工和内存生产商投入数十亿美元。

这一策略的变更可能反映出三星在客户需求上面临麻烦，以及公司希望提高效率的意愿。三星据悉在先进制造工艺上一直延期且良品率频频低于预期，导致其很难吸引到大型客户。

消息还称，三星位于韩国平泽工厂，负责生产4-7纳米级芯片的生产线的利用率下降了30%以上。

与此同时，台积电在上周表示，今年将大幅增加资本支出，为明年生产2纳米级芯片做准备。英特尔也表示将积极参与2纳米级芯片的竞争，预计将小幅增加其资本支出。

攻守分化

三星可能将把2025年的重点放在韩国华城工厂的S3和平泽工厂的P2设施之上。S3中3纳米芯片的产线可能部分升级为2纳米，这几乎不需要添置大量的全新生产设备就可以实现。

而到2025年，P2预计将安装一条1.4纳米芯片的测试线，月产能预估在2000-3000片晶圆。此外，三星还将对其他地区的工厂进行小规模投资，如其位于美国的泰勒工厂，计划是升级现有晶圆厂，而不是扩大产能。

这种保守策略与台积电的疯狂扩张形成鲜明对比。台积电计划在2025年投资380亿-420亿美元的资金，较2024年的297.6亿美元显著增加。其中70%的投资将流入先进工艺，10-20%则被分配给特殊技术，剩下的部分投向先进封装、测试、掩模制造和其他领域。

这也与台积电在2025年下半年量产2纳米芯片的规划相符。台积电声称，计划中的2纳米试生产芯片数量高于此前3纳米和4纳米芯片的试生产数量，这代表着该公司将需要更多的2纳米产能。

英特尔则也计划在今年晚些时候提高其18A制造工艺的芯片生产数量，同时为下一代节点进行准备。业内预计，该公司今年的资本支出将从2024年的110亿-130亿提高至120亿-140亿美元。