北京
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN 119275090 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制造方法，先对光刻胶层进行光刻处理，以在光刻胶层中形成开口；然后，形成掩膜层，掩膜层填满开口并延伸覆盖光刻胶层的顶表面，掩膜层的感光波段与光刻胶层的感光波段不同，或者，掩膜层的材质与光刻胶层的材质不同；接着，对掩膜层和光刻胶层进行加热处理，以使掩膜层与光刻胶层的接触面融合而形成保护层，保护层覆盖开口的侧壁和光刻胶层的顶表面；接着，去除掩膜层，以暴露出开口的底部；之后，测量开口底部的线宽。由于保护层覆盖开口的侧壁和光刻胶层的顶表面，在测量开口的底部的线宽时，保护层能够有效阻挡光刻胶层的轮廓发生变化，由此避免光刻胶层中的开口的轮廓发生变化，进而避免开口的线宽发生变化。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本90950万人民币，实缴资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目800次，知识产权方面有商标信息5条，专利信息73条，此外企业还拥有行政许可68个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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