北京
金融界2025年1月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海盛剑科技股份有限公司申请一项名为“空穴传输材料、空穴传输层及其制备方法和钙钛矿电池”的专利，公开号 CN 119264175 A ，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明涉及钙钛矿电池技术领域，具体而言，涉及一种空穴传输材料、空穴传输层及其制备方法和钙钛矿电池。本发明的空穴传输材料，具有通式 X3Si‑G‑R；其中，X 选自卤素，G 选自 或苯环；R 选自结构(Ⅰ)或结构(Ⅱ)。本发明中的空穴传输材料具有的多个 Si‑X 键，跟衬底氧化物中的羟基可形成稳定的化学键结合，其具备较低温度下的饱和蒸汽压，适合分子层沉积制备反式钙钛矿太阳电池；该空穴传输材料可提高空穴传输层的界面稳定性，进而提高钙钛矿电池的稳定性，提高其光电转化效率。
天眼查资料显示，上海盛剑科技股份有限公司，成立于2012年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本14946.25万人民币，实缴资本12470.35万人民币。通过天眼查大数据分析，上海盛剑科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目92次，知识产权方面有商标信息93条，专利信息303条，此外企业还拥有行政许可59个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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