北京
金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，微玖（苏州）光电科技有限公司申请一项名为“一种带有导气槽结构的半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119317264 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种带有导气槽结构的半导体器件及其制备方法，属于半导体器件及其加工工艺技术领域。本发明是在带有预留切割道的硅基CMOS表面沉积第一金属层，再在蓝宝石/硅衬底的GaN外延片表面蒸镀ITO薄膜并进行退火处理，沉积第二金属层后利用IBE工艺刻蚀或者金属剥离工艺得到网格状的导气槽结构；将导气槽与预留切割道对准后进行超声共晶键合，最后在衬底的背面沿着导气槽结构切透衬底、N‑GaN层和量子阱层，使导气槽与空气连通；再将蓝宝石衬底通过激光剥离掉或将硅衬底研磨掉，然后对N‑GaN层进行减薄，从而制备得到具有导气槽结构的半导体器件。本发明所述方法不需要使用高精度键合设备，从而降低了设备投入，具有良好的技术效果。
天眼查资料显示，微玖（苏州）光电科技有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本266.666667万人民币。通过天眼查大数据分析，微玖（苏州）光电科技有限公司专利信息1条。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
