北京
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“光电探测器及其制作方法”的专利，公开号CN 119300540 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种光电探测器及其制作方法，该光电探测器包括：衬底；依次堆叠于衬底上的第一电极结构、光吸收层和第二电极结构；第一电极结构包括沿第一方向间隔设置的多个第一导电部；第一导电部沿第二方向延伸；其中，第一导电部被配置为接收第一电压，以使光吸收层中形成第一掺杂区；第二方向和第一方向平行于衬底所在的平面，第二方向和第一方向相交；第二电极结构包括沿第一方向间隔设置的多个第二导电部，第二导电部沿第二方向延伸；其中，第二导电部被配置为接收第二电压，以使光吸收层中形成第二掺杂区；第二电压和第一电压不同；第二掺杂区和第一掺杂区的导电类型不同且至少部分接触。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目376次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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