北京
金融界2025年1月10日消息，国家知识产权局信息显示，浙江翠展微电子有限公司取得一项名为“一种硅IGBT与碳化硅SBD二极管混合功率模块的均温流道结构”的专利，授权公告号CN 222300664 U，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，一种硅IGBT与碳化硅SBD二极管混合功率模块的均温流道结构，其包括一个散热底板，一个设置于所述散热底板上的散热水道，以及若干个设置于散热底板上的功率模块。所述散热底板朝向所述散热水道的一侧间隔排列设置有若干个散热翅针。所述散热水道包括一个本体，一个设置于所述本体上的第一分区，一个设置于所述第一分区的一侧第二分区，以及一个设置于所述第二分区的一侧的第三分区。所述第三分区上间隔开设有至少两个大凸台。所述大凸台的高度大于所述中凸台的高度，所述小、中、大凸台的高度随冷却液流向由低到高，使得所述第一、二、三分区处的散热效果逐步加强，如此弥补了冷却液经过换热后的影响，从而降低了各个所述功率模块之间的温差。
天眼查资料显示，浙江翠展微电子有限公司，成立于2020年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币，实缴资本2499.0147万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江翠展微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目8次，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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