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金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，无锡晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119069604 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括发光结构；位于发光结构一侧的光控制层，光控制层包括多个规则排布的光控制区以及位于光控制区之间的衬底结构；其中，光控制区包括波长转换结构，波长转换结构包括量子点以及吸附了量子点的多孔结构。本公开中设置多个光控制区以及衬底结构，可以使每个光控制区的出光均匀，方向性好，光提取率高，避免了光线串扰；利用多孔结构吸附量子点，实现全彩化显示，可以提高分辨率，并且简化制程，节约成本。
本文源自：金融界
作者：情报员
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