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界面工程已被证明对于胶体量子点 （QD） 太阳能电池极为重要。然而，与 QD 表面和器件顶部接口相比，埋底界面受到的关注要少得多。 在此，苏州大学马万里和袁建宇等人报道了一种利用环状钝化剂 （CyP），调节氧化钛 （TiO2）/CsPbI3 QD埋底界面的有效策略。各向同性的 CyP 可以通过靶化学结合有效地钝化 TiO2 和 CsPbI3 QD 表面的缺陷，从而促进界面电荷的提取和传输。基本上，CyP 工程的埋底界面为全无机 CsPbI3 钙钛矿 QD 太阳能电池输出了 17.50% 的高功率转换效率 （PCE）。更重要的是，首先报道了高效 QD 太阳能电池的翻新，CyP 埋地调制可以辅助回收高成本的 TiO2/F 掺杂氧化锡电极。 CyP 工程翻新 CsPbI3 QD 设备的 PCE 在退役设备进行第 4 轮回收后，仍可保持相应新鲜设备的 90% 以上。这些发现首先揭示了埋入式界面的重要性和潜力，这将推动基于 QD 的光电器件的性能和可持续发展。
Buried interface engineering enables efficient and refurbished CsPbI3 perovskite quantum dot solar cells
H. Li, H. Huang, D. Li, X. Zhang, C. Zhao, X. Zhao, W. Ma and J. Yuan, Energy Environ. Sci., 2024, Accepted Manuscript , DOI: 10.1039/D4EE04628E
https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2024/ee/d4ee04628e
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