北京
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金融界2024年11月1日消息，国家知识产权局信息显示，华邦电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 118843308 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包含对基板执行第一刻蚀制造工艺以形成第一沟槽，以及顺应性地形成顺应层于第一沟槽的表面。方法还包含沿着第一沟槽对基板执行第二刻蚀制造工艺，以形成第二沟槽于第一沟槽下方，其中在第二刻蚀制造工艺中，顺应层比基板具有更高的刻蚀抗性，使得第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度，本发明通过将形成主动区的刻蚀制造工艺分为两次的刻蚀制造工艺，并搭配顺应层的形成，能够维持主动区所需的线宽大小，改善存储器装置的良率以及性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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