北京
分享至
金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种键合晶圆及其形成方法”的专利，公开号CN 118763091 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种键合晶圆及其形成方法，键合晶圆的形成方法包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆中均设置有铜互连结构，在靠近铜互连结构的一侧上分别形成界面叠层，界面叠层由下至上依次包括铜扩散阻挡层和键合表面；在靠近界面叠层的一侧均形成铜通孔；激活键合表面，并键合第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆的键合表面朝向第二晶圆的键合表面，以通过专门的铜扩散阻挡层对铜互连层进行铜扩散阻挡并在键合前的键合界面的激活时，使得键合表面的各组成含量发生变化并结合激活过程中的等离子体处理工艺没有影响到铜扩散阻挡层的薄膜质量，使得界面叠层可以防止铜扩散的同时可以保证最优的键合能，从而提高了键合后器件的可靠性。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
