湖南
大家知道，芯片工艺28nm，指的是什么东西是28nm么？
其实，很早之前，这个XX纳米，指的是芯片晶体管的栅极长度（gate length），即晶体管中源极和漏极之间的距离，这个长度是多少，就指芯片的工艺是多少。
后来，芯片厂就琢磨，既然栅极长度代表的芯片工艺，那就是想方设法缩短这个长度，工艺不就提升了么？
于是在1994前，300nm前时，芯片工艺和栅级长度基本是一致的。
但从300nm开始，到28nm左右时，栅极长度，其实是小于芯片工艺的，就是因为大家不断的想办法去缩短栅极长度去了。
但到了28nm时，这个栅级长度又没法不断的缩小了，所以从28nm开始后，栅级长度，又大于芯片工艺了。
于是在28nm之后，芯片厂们，又用了另外一个办法，那就是等效工艺。
即哪怕我的芯片制造工艺，没什么变化，但只要我通过工艺改进，或结构改进，让性能提升了，或功耗降低了之类的，我也一样认为是工艺进步了。
特别是到14nm之下时，这个等效工艺就越来越厉害了，因为三星、台积电、intel们的工艺，已经是没有特别的对应关系了。
三星说这个工艺是5nm，而英特尔可能认为三星的5nm，连自己的10nm工艺都不如，台积电则认为三星的5nm，还不如自己的7nm，已经是没法各芯片制造厂之间横向比较了。
不信大家看看这个最为明显的指标，晶体管密度，就可以看到，从10nm开始后，三家厂商的相同工艺，对应的晶体管密度，是完全是不一样的。
也就是说，三星的3nm，未必比台积电5nm强，也未必比intel的7nm更强，就看大家怎么看了。
后来，英特尔看到台积电、三星的工艺命名如果激进，都不得不将自己的芯片工艺改名，将10nm改成intel7，7nm改成intel4，也是迎合这种等效工艺法，和三星、intel的对应一致，不显得自己落后。
这也意味着，真正到了7nm之下时，到底是5nm，还是3nm，还是2nm，其实并没有那么重要，只要你的技术有一定改进，让性能提升，让功耗降低，让晶体管密度提升，那么就可以认为是工艺升级了。
这对于中国芯片产业而言，就是大大的利好了，毕竟没有EUV，进入7nm之下很困难。
但是，因为等效工艺的存在，那就是就算我的是7nm工艺，但通过晶体管的结构改进，让性能提升了，让晶体管密度提升了，也一样可以等效于5nm，甚至3nm……
甚至我们通过材料改进，明明只是7nm工艺制造的，也许比3nnm更强。所以说，大家别只盯着什么5nm、3nm，更要理解这背后的意义。
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