隔夜美股全复盘(9.28)| CWEB涨近8%，对冲基金传奇人物泰珀称将全面扫入中国股票

01 大盘

昨夜美股三大股指分化，中概股指涨近4%。截至收盘，道指涨 0.33%，纳指跌 0.39%，标普跌 0.13%。美国十年国债收益率跌 1.078%，收报3.761%，相较两年期国债收益率差19.4个基点。恐慌指数VIX涨 10.34%至16.96，布伦特原油收涨 1.43%。现货黄金昨日跌 0.78%，报2651.53美元/盎司。美元指数昨日跌 0.14%，报100.42。

美国8月核心PCE年率小幅回升至2.7%，核心PCE月率回落至0.1%。利率期货交易员认为，11月份美联储降息50个基点的可能性略高于降息25个基点的可能性。石破茂赢得日本执政党领导人选举，将成为日本下一任首相。据日本自民党新总裁石破茂：如有必要，将实施财政刺激措施。宽松货币政策的趋势不会改变。据以色列总理内塔尼亚胡：以色列军方已击毙或捕获超过哈马斯战士的一半，摧毁了90%的哈马斯火箭弹武器库；将继续打击真主党，直到实现所有目标。

02 行业&个股

行业板块方面，除半导体、科技、原料和医疗分别收跌1.59%、0.93%、0.18%和0.05%外，其他标普7大板块悉数收涨：能源、公用事业、通讯、金融、日常消费、工业和房地产分别收涨2.04%、0.99%、0.6%、0.29%、0.18%、0.14%和0.14%。

概念板块方面，航空ETF涨0.19%%，旅行服务板块涨0.09%，高端酒店万豪涨0.93%，爱彼迎跌0.77%，挪威邮轮跌0.62%。太阳能板块涨1.18%。金融科技板块方面，PayPal收跌2.75%，NU涨0.36%。网络安全板块涨0.17%，SQ涨0.68%。

中概股多数收涨，KWEB涨3.92%，台积电跌 4.74%，阿里涨 2.15%，拼多多涨 4.62%，京东涨 5.03%，理想涨 1.62%，蔚来涨 12.8%，小鹏涨 9%，新东方涨 3.45%，富途涨 5.17%，B站涨8.68%，瑞幸咖啡跌 1.03%，好未来涨 5.06%，名创优品涨 11.02%。

大型科技股涨跌互现。苹果收涨 0.12%，微软跌 0.76%，英伟达跌 2.13%，谷歌涨 0.89%，亚马逊跌 1.67%，Meta跌 0.08%， 礼来跌 3.47%，特斯拉涨 2.45%，博通跌 3.03%，沃尔玛跌 0.18%，诺和诺德跌 2.85%。ARM跌2.4%，INTC跌0.04%，据一位知情人士透露，Arm曾与英特尔接洽，希望收购这家陷入困境的芯片制造商的产品部门，但被告知该业务不可出售。据英国《金融时报》：英特尔和美国政府力争在年底前最终敲定85亿美元的芯片融资。

03 每日焦点

1、对冲基金传奇人物泰珀：全面扫入中国股票

9.27 著名对冲基金经理泰珀(David Tepper)接受CNBC访问时表示，美国减息令中国有空间放宽政策，但支持经济力度出乎预期，令整体形势有变，已全面买入大型科技股阿里巴巴和百度集团等中国股票。他又说，如果中资股回调，他更可能将中国股票占投资的比例上限，由10%或15%，增至20%或30%。

2、机构：《黑神话：悟空》Steam平台总收入超过10亿美元

9.27 根据市场研究机构VG Insights最新数据，《黑神话：悟空》在Steam平台销量已达2090万套，总收入超过10亿美元。

3、大众汽车下调全年交付量预期

9.28 大众汽车预计全年交付量900万辆，分析师预期810万；预计全年运营利润将达到约180亿欧元；预计全年销售收入大约3200亿欧元；预计全年汽车部门净现金流20亿欧元，公司原本预计25亿-45亿欧元；预计全年销售运营回报率（ROS）为5.6%，分析师预期6.51%，公司原本预计6.5%-7.0%。

4、消息称三星拟引进新设备提高HBM良率

9.27 据韩国业内人士称，三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备（分选机），这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM，三星电子引入这一额外选择流程的主要原因是为客户提供定制化HBM，同时还能提高良率和生产速度。

HBM通过垂直堆叠DRAM制造而成。在前工序中制作DRAM晶圆时，会经过将其切割成芯片的过程，然后进行键合以堆叠芯片。在这两个过程之间引入新设备，在电特性测试（EDS）后根据芯片性能将DRAM芯片分为最多三个级别：S级、A级、B级。

由于HBM规格可以细分，因此可以为NVIDIA等优先考虑性能的公司提供S级HBM，为对价格敏感的客户提供B级HBM。

此前，芯片筛选和堆叠工作是在键合设备内完成的。即使芯片是由同一片晶圆制成的，键合设备也会堆叠符合良好质量标准的芯片，并过滤掉不符合良好质量标准的芯片，并将其被丢弃。在这种情况下，即使是合格的芯片，由于质量不一，实际上也不可能制造出性能最高的HBM，性能较低的芯片则全部被丢弃。

新设备在提高良率和生产速度方面也很有效。新设备能够将精选的芯片垂直安装在载体上，因此在切割过程中产生的颗粒可以被轻松去除，这些颗粒是降低DRAM堆叠良率的主要原因；芯片筛选和异物去除分别进行，由此可以提高键合工艺的速度。此前由于担心在键合机内出现异物，放置和堆叠芯片的工艺不得不相对缓慢地进行，但新设备解决了这一问题。

预计新设备将于明年交付给三星电子，新工艺将逐步导入。

5、SK海力士、美光均已量产12层HBM3E

9.27 SK海力士宣布量产12层HBM3E新品，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。该产品堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。运行速度提高至9.6Gbps，这是在以搭载四个HBM的单个GPU运行大型语言模型（LLM）‘Llama 3 70B’时，每秒可读取35次700亿个整体参数的水平。SK海力士将在年内向客户提供12层HBM3E。

除SK海力士外，其他HBM厂商也在积极推动HBM产品研发及生产。美光在其最新财报中表示，已从第四财季(2024年6-8月)开始向主要行业合作伙伴交付可量产的12层HBM3E（36GB），预计将在2025年初提高12层HBM3E产量，并在2025年全年增加该产品出货。三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

HBM产能方面，据CFM闪存市场数据显示，预计至2024年底，三星、SK海力士和美光合计达到30万片的HBM月产能，其中三星HBM增产最为激进。预计明年全球HBM市场规模将上望300亿美元，HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。