项中专吹牛皮,说三折叠是人类最高水平。真丢人。
大批文科伪正能量蜂拥而上,吹捧三折叠,说比4纳米芯片折叠到2纳米芯片厉害。笑死人了。
我前文给项中专讲解4纳米芯片到2纳米芯片需要克服新的物理规律导致的物理极限。很多伪正能量根本听不懂。我就讲得通俗一点吧。
在7纳米以下工艺,EUV光刻曝光时,开始出现纳米尺度下的随机缺陷问题。
随机缺陷是极其罕见但致命的图形化失败,例如相邻线之间的桥接、线断裂和孔/点图案缺失,均低于 20 nm 范围。
由于在 300 毫米的晶圆上甚至在单次曝光视场上形成的曝光特征超过 1 万亿个,因此需要将随机缺陷的概率抑制在百万至十亿分之一以下。
这种随机缺陷诱导良率出现塌缩,比如下图,EUV光刻曝光某种光刻胶,它在11纳米的时候还可以勉强工作,但是在10纳米的时候直接就报废了。
项立刚、张维为们哪里懂这个?
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