知名网络博主“Jim博士”给文科中专生项立刚写了一篇通俗科普文,介绍了台积电1.6纳米制程,文中提到,台积电1.6纳米芯片的两个特征:
1,这是台积电的下一代芯片构架纳米片环栅晶体管GAA的第二个型号;
2,这是台积电的第一款采用背部供电方案的制程。
苹果和OpenAI强势抢购:台积电1.6纳米制程有多强悍?
文中给出了标准的1.6纳米制程和台积电2纳米的升级版本N2P制程的性能对比:
速度提升8-10%;功耗降低15-20;芯片晶体管密度提升1.07-1.10。
很多网友认为,这种提升幅度非常小,价值不大。
那么,如何评估1.6纳米制程的性能提升幅度呢?
我给大家做一个全面的梳理:
1,7纳米制程,相对10纳米制程,功耗降低40%;晶体管密度提升37%。
2,5纳米制程,相对于标准7纳米制程,速度提升15%;功耗降低30%;晶体管密度增加到1.8倍。
3,3纳米制程,相对于标准的5纳米制程,速度提升10-15%;功耗降低25-30%;晶体管密度增加1.7倍。
不过,细心的朋友很容易发现,每个大节点下都会有相应制程的迭代,比如N7迭代的N7P、N7+;N5迭代的N5P等,所以如果用升级迭代版本去比较,性能增幅就会有很大差异。
下图是台积电3纳米到2纳米和1.6纳米的迭代,由于节点内的迭代代数太多,所以我们只看其中的关键对比:
1,2纳米节点,相对于3纳米(N3E),速度提升10-15%,功耗降低25-30%;密度提升1.15X;
2,2纳米升级版本N2P,相对于2纳米节点,速度提升5-10%,功耗降低5-10%;
3,1.6纳米节点,相对于N2P节点,速度提升8-10%,功耗降低15-20%。
所以,综合以上数据,我们可以大概判断:
台积电从7纳米节点,到5纳米、3纳米、2纳米、1.6纳米这5代芯片,每一代芯片的速度提升大概10-15%,功耗降低25-30%。
大家对台积电7纳米以下的芯片性能提升能力满意吗?
我们下期见!
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