传三星2nm良率最多20%，已撤出美国泰勒厂人员

9月12日消息，据韩媒Business Korea报道，由于 2nm 良率持续存在问题，三星电子已决定从其位于美国的泰勒工厂撤出人员，这标志着其先进的代工业务遭受重大挫折。该决定是在大规模生产时间表一再推迟之后做出的，现在量产时间已从原来的2024年底推迟到了2026年。

三星对于美国泰勒工厂最初设想为 4nm以下先进工艺的大规模生产中心，目的是靠近主要的美国客户，为他们提供本地化的制造服务。然而，尽管工艺开发迅速，但三星仍面临 2nm 良率的挑战，与其主要竞争对手台积电相比，不仅性能较低且量产能力不足，良率也更低。

三星的代工良率目前低于 50%，尤其是 3nm以下的工艺，而台积电的3nm工艺良率约为 60-70%。这种良率差距将两家公司之间的市场份额差距扩大到 50.8 个百分点，台积电在第二季度占据了 62.3% 的全球代工市场，而三星仅为 11.5%。

一位业内人士评论说：“三星的 GAA （应该是指三星2nm制程）良率率在 10-20% 左右，这对于订单和批量生产来说都是不够的。这种低良率迫使三星重新考虑其战略，并从泰勒工厂撤出人员，只留下极少的员工。

报道称，为了解决良率问题，三星董事长李在镕亲自拜访了 ASML 和 Zeiss 等主要设备供应商，努力寻找工艺和良率改进的突破口。尽管做出了这些努力，但并未取得重大成就，而且将人员重新部署到泰勒工厂的时间仍不确定。

相比之下，台积电位于美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月就已经开始基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，其良率已经与台积电位于中国台湾的南科厂良率相当。

值得注意的是，今年4月，美国商务部宣布已与三星电子签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片和科学法案》向三星电子提供高达64亿美元的直接补贴资金，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国的全球竞争力。

作为协议的一部，三星承诺未来几年将在美国德克萨斯州投资金额由原来的170亿美元提升至超过400亿美元，拟议的投资将把三星在德克萨斯州的现有业务转变为一个全面的生态系统，用于在美国开发和生产尖端芯片，包括两个新的领先逻辑晶圆厂、一个研发工厂和位于泰勒市的一个先进封装工厂，以及扩建他们现有的奥斯汀工厂。预计将支持创造超过20,000个就业机会。

其中，对于德克萨斯州泰勒市的投资将包括两个领先的逻辑代工厂，专注于4nm和2nm工艺技术的大规模生产，一个致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂，以及一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。

现在看来，由于2nm良率问题，三星泰勒工厂的2nm晶圆厂项目将要大幅推后，之前部署的人员撤出也是自然。不过，由于美国“芯片法案”补贴本身就有设置很多限制条款，三星在泰勒工厂的投资进度延后，必然会影响到美国商务部基于“芯片法案”对其承诺的64亿美元补贴资金的落实。

编辑：芯智讯-浪客剑