三星宣布第9代V-NAND QLC启动量产：其首款1Tb QLC闪存，计划扩大应用范围

今年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“在距上次TLC版本量产仅四个月后，第9代V-NAND QLC闪存产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过QLC和TLC第9代V-NAND闪存继续巩固三星在该领域的市场地位。”

第9代V-NAND QLC闪存综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破，包括：

• 通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching） - 能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在第9代V-NAND TLC中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代V-NAND QLC闪存提升约86%。

• 预设模具（Designed Mold）技术 - 能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果。V-NAND层数越多，存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20%，增强了产品的可靠性。

• 预测程序（Predictive Program）技术 - 能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星第9代V-NAND QLC的写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。

• 低功耗设计（Low-Power Design）技术 - 使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。

三星计划扩大第9代V-NAND QLC闪存的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。