别盯着2nm、3nm芯片，它只是“假”数字，中国芯方向不是这个

近日，intel表示称，将在明年下半年推出一款新的AI PC芯片，采用的是英特尔1.8nm工艺，还有混合键合技术、堆叠技术、先进封装技术和背面供电（称为 PowerVia）技术等。

而台积电、三星不出意外的话，也将在明年量产2nm芯片，那么全球最顶尖的三家晶圆厂，都将进入2nm时代。

很多人称，别说2nm了，甚至别说3nm，连5nm工艺，都是“国服”无法进行的游戏。

意思大家都懂，那就是因为众所周知的原因，目前国内的芯片工艺，是无法进入5nm，最关键的EUV光刻机买不到，还有另外的一些先进设备也买不到。

所以目前国内的芯片工艺，进不了5nm，更别说3nm、2nm了。

事实确实是事实，但说真的，在当前形势之下，中国芯的方向，并不是去追求什么3nm、2nm，这种数字游戏，我们暂时还不需要去玩。

芯片的性能提升，其实关键还是取决于单位体积内，晶体管的密度，密度越大，晶体管越多，那么性能就越强。

目前的3nm、5nm、2nm等，其实都是等效工艺，并不是实际真正的芯片工艺就是2nm、3nm这些了，之前有很多媒体就分析过。

如果按照最早之前的工艺命名规则，实际上在7nm时，金属半间距是54/2=27nm左右，3nm时，应对的金属半节距是45nm/2=22.5nm左右（可以说是22nm，也可以说是23nm）。

但是大家都叫7nm、3nm，就是因为现在的是等效工艺，立体的晶体管结束，先进的封装技术，实现了晶体管密度的提升，达到了等效的7nm或3nm的水平。

大家如果去观察芯片晶体管的发展历史，也会发现，晶体管结构，也从之前的平面型，越来越向立体型去发展，比如3nm时，三星采用GAAFET，就比台积电的FinFET更立体了，而之后的MBCEFT又比GAAFET更立体了。

目前，芯片工艺其实越来越接近物理极限了，3nm后是2nm，再是1nm，再之后呢，还能继续前进么？其实如果仅从线宽等物理尺寸来看，其实是越来越难的了。

所以接下来芯片的发展方向，其实还是朝着立体方向去发展，在有限的体积/面积内部，堆叠出更多的晶体管，而达到这一目标，有可能是晶体管结构的创新改进，也可能是封装技术的创新改进等等。

所以老是盯着芯片工艺，觉得我们就要去追3nm、2nm，这是没有必要的，这只是“假数字”游戏，我们应该透过现象看本质，看透这工艺背后，代表的是晶体管密度的提升，去想办法解决这个问题，那么就算我们是7nm的工艺，到时候也能实现2nm、1nm这样的性能，这才是我们的研究方向。