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金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法“，公开号CN117790504A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，提供了一种场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法。该场效应晶体管结构包括：沟道结构；通过所述沟道结构彼此连接的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第一接触插塞，在第一源极/漏极区的顶表面上，通过后段工艺(BEOL)结构连接到第一电压源或第一电路元件；以及第二接触插塞，在第二源极/漏极区的底表面上，通过背侧电源轨连接到所述第一电压源或另一电路元件，其中第一源极/漏极区和第二源极/漏极区具有基本相同的高度。
本文源自金融界
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