金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,广州今泰科技股份有限公司申请一项名为“一种高导电高强的高熵合金薄膜及其制备方法“,公开号CN117758127A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种高导电高强的高熵合金薄膜及其制备方法,属于金属表面改性领域。其中,高熵合金薄膜由Ti、Al、Cr、Si、Cu这五种元素构成,按原子百分比计,高熵合金薄膜的具体成分如下:30%~40%的钛、30%~40%的铝、15%~35%的铬、3%~10%的硅和5%~20%的铜,制备步骤包括基体表面进行表面预处理、合金靶材的制备及通过阴极电弧离子镀的方式制备高熵合金薄膜。本发明制备的高熵合金薄膜成分、厚度和硬度可控,与基底结合效果良好,表面致密,厚度为1.6~2.0μm,具有较高的硬度和较低的电阻率,电阻率最低可达到0.67μΩ/m,且本发明制备方法工艺简单,可降低成本。
本文源自金融界
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.