长鑫、长存，中国两大存储芯片巨头，被美打压后，发展怎么样了？

2023年，是存储芯片厂商们，最近15年以来，最惨的一年。

因为需求不振，供过于求，大家库存高企，不得不降价求销量，以降价换订单，同时各大厂商又竞争激烈，所以价格是跌跌不休，最高时直接降了50%。

在2023年买DRAM内存，NAND闪存的人最有深刻体会，1TB的SSD，只要200块，想以前最便宜的也要400块左右。

在这样的背景之下，三星、SK海力士、美光这三大巨头巨亏，数据统计下来，2023年这一年，这三大厂商，在存储芯片上亏了1500来亿元。

很多人感谢国产存储厂商，认为虽然有芯片周期的影响，但国产存储厂商功不可没，没有国产存储芯片厂商的搅局，怎么可能跌价会这么狠？

事实上也确实如此，各种因素交集在一起，才造成了2023年这个超级大低谷。

那么问题来了，造成这样大低谷的情况下，国产存储芯片，究竟发展得怎么样了？今天好好聊一下这个话题。

原本国内有三大存储芯片基地的，一是长江存储主攻NAND闪存，一家是长鑫存储主攻DRAM内存，还有一家是福建晋华，主攻的也是DRAM内存。

不过后来因为美光的原因，晋华陷入停滞状态，没什么进展，只有长江存储、长鑫存储还在继续突破。

长江存储发明了“晶栈”技术，从64层到128层，再迅速突破到232层，于三星、美光等巨头，站到同一起跑线，甚至在232层技术上，还超过了三星等，成为全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商。

不过后来被美国打压，美国想要锁死我们的NAND闪存技术在128层，对128层以上的设备、技术进行了封锁。

所以目前长江存储只有少量232层闪存生产线，还是禁令之前就建好的，目前主要还是生产128层技术，近日有媒体报道称，长江存储又推出了一个120层技术，但性能不比232层差，真假未知，但说明又有了突破。

从市场和产能来看，长江存储目前的市场约占全球5%左右，产能大约也在6%左右，但在持续扩产，未来的计划是达到全球15-20%的产能。

再看长鑫存储，在DDR类型来看，长鑫目前已经生产出了DDR5内存，也算是处于顶尖水平了。

不过从工艺制程来看，还是落后三星、SK海力士这些一些，三星等实际工艺制程达到了14nm左右，而长鑫之前一直是21nm、19nm。

同时美国之前针对中国的DRAM内存，也出台了禁令，想要卡死在18nm，及任何18nm及以下的设备/技术，不允许被出口。

但近日，有媒体报道称，长鑫存储开始批量生产18.5nm工艺的DRAM芯片，月产量高达100000片晶圆。

同时长鑫启动二期建设，2024年底完成，预计达到1.4万片每月，产能占全球DRAM总产能的10%。

可见，随着DRAM内存、NAND闪存方面，我们都受到打击，但厂商们一直在努力，技术、产能上均在不断突破，竞争力也在逐步提升。

这也是为何2023年，国内存储芯片厂商们降价这么狠的原因，因为竞争者多了，中国厂商更有成本优势，所以不得不降价。

希望接下来，国产存储芯片厂商们，能够不断的突破，提高产能，提高市占率，那么未来这些产品，想涨价都涨不起来了，消费者真正得到实惠。