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金融界2024年1月26日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“沟槽FET器件及制造沟槽FET器件的方法“，公开号CN117461142A，申请日期为2021年12月。
专利摘要显示，一种沟槽场效应晶体管(field‑effect transistor，FET)器件(100A)，包括：多个有源沟槽(102)，所述多个有源沟槽沿着第一轴线延伸并沿着垂直于所述第一轴线的第二轴线分布。每个有源沟槽(102)包括栅极(124)和屏蔽电极(126)。所述沟槽FET器件(100A)还包括：完全填充有介质材料的两个或多个终端沟槽(104,106)，所述两个或多个终端沟槽沿着所述第二轴线延伸并与所述多个有源沟槽(102)相邻设置。此外，每一个所述多个有源沟槽(102)的所述屏蔽电极(126)在每一端与所述两个或多个终端沟槽(104,106)中的对应一个相邻设置。所述沟槽FET器件(100A)基于边缘终端概念，所述边缘终端概念提供了消除对过渡区的需要的益处，从而提高了所述沟槽FET器件(100A)的电压阻断能力。
本文源自金融界
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