资料丨TiN薄膜沉积，创建薄膜，化学镀层金属薄膜

热原子层沉积TiN沉积温度的影响

在本研究中，研究了使用热原子层沉积（ALD）方法沉积的TiN薄膜的沉积温度的影响。使用 TiCl4 前驱体和 NH3 反应气体，比较了 400 ° C – 600 ° C沉积温度范围内的沉积速率、电阻率变化和表面形貌特征。随着沉积温度的升高，电阻率降低至 177 µ Ω cm到 600 ° C 时，表面粗糙度 (Rq) 增加至 0.69 nm，并且阶梯覆盖率恶化。为了获得即使在低沉积温度下也具有优异电阻率和台阶覆盖特性的高质量TiN薄膜，采用N2/He气体比例为3:2的组合对TiN薄膜进行等离子体后处理，以确认电阻率的变化。

用于p型晶体硅表面表面钝化的溶液处理薄膜

高效且廉价的光伏系统对于满足全球日益增长的电力需求是必要的。为了提高晶体硅（c-Si）太阳能电池的效率，必须通过表面钝化技术来减少载流子的复合损失。氧化铝（AlOx）薄膜与各种高效硅太阳能电池高度相关。在文献中，AlOx 层被证明是带负电的电介质，可为低掺杂和高掺杂的 p 型 cSi 表面提供出色的钝化。文献中还表明，高效 c-Si 太阳能电池可以通过原子层沉积 (ALD) 和等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 沉积的 AlOx 薄膜进行钝化。尽管文献中提到了几种用于 AlOx 沉积的沉积技术，但溶液处理的 AlOx 薄膜沉积技术被证明是一种廉价的工艺。本论文工作的目的是使用低成本沉积技术通过 AlOx 薄膜实现优异的 c-Si 表面钝化。研究了两种简单、廉价且非真空的沉积技术——旋涂和喷涂——用于 p 型 c-Si 的表面钝化。

用于电路应用的有机添加剂化学镀沉积金属薄膜的制造和表征

在我们的工作中，我们研究了通过化学镀沉积的镍薄膜，用作硅通孔 (TSV) 技术中的阻挡层和种子层。El-Ni 涂层由原始电解液沉积在铜基材上，并在电解液组合物中使用不同浓度的有机添加剂。通过SEM、AFM和XRD方法研究了沉积涂层的表面形貌、晶态和物相组成。不使用有机添加剂沉积的El-Ni涂层具有不规则的形貌，具有罕见的半球形球状斑晶，均方根粗糙度值为13.62 nm。涂层中的磷浓度为9.78重量％。根据El-Ni的X射线衍射研究结果，不使用有机添加剂沉积的涂层具有纳米晶结构，平均镍微晶尺寸为2.76 nm。有机添加剂的影响体现在样品表面的平滑化上。El-Ni 样品涂层的均方根粗糙度值在 2.09 – 2.70 nm 范围内变化。根据微量分析数据，开发的涂层中的磷浓度约为 4.7 – 6.2 wt.%。通过 X 射线衍射对沉积涂层的晶态进行研究，可以检测其结构中的两个纳米微晶阵列，平均尺寸为 4.8 – 10.3 nm 和 1.3 – 2.6 nm。

关键词：热原子层沉积，TiN薄膜，沉积温度，P型晶体硅，表面钝化，推测薄膜，化学镀沉积，金属薄膜