【IC风云榜候选企业95】芯塔电子：掌握核心技术，碳化硅功率器件实现供应链全国产化

【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。

【候选企业】安徽芯塔电子科技有限公司（以下简称：芯塔电子）

【候选奖项】年度车规芯片技术突破奖、年度最具成长潜力奖、年度车规芯片优秀创新产品突破奖

集微网消息，碳化硅属于第三代半导体材料，处于宽禁带半导体产业的前端，是前沿、基础的核心关键材料。绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展，电气化和能源高效利用将推动碳化硅半导体行业快速发展。数据显示，2022年全球碳化硅行业市场规模约为16.04亿美元，而中国碳化硅行业市场规模呈现快速上涨态势，2022年中国碳化硅市场规模约为43.45亿元，产值约为20.43亿元。

国产厂商近年来纷纷布局，在碳化硅领域积极探索，其中芯塔电子凭借自己综合实力和突出优势，已经成功进入国内第一梯队碳化硅功率器件供应商，也是国内为数不多实现全国产化供应链的厂商之一。

安徽芯塔电子是一家专注于宽禁带半导体功率器件和应用技术创新与国产化的国家高新技术企业，总部位于安徽省芜湖市，在北京、杭州、深圳设有研发中心、应用技术中心，在湖州设有年产30万套碳化硅功率（SiC）模块封测基地。芯塔电子创始人倪炜江博士是国内碳化硅产业奠基人之一，核心团队来自浙江大学、中科院、北京大学等知名高校以及国内外知名半导体企业，汇集了众多国家杰出青年科学家、973和863计划首席科学家。公司研发人员占比超56%。芯塔电子已于2023年6月完成近亿元Pre-A轮融资。

芯塔电子团队拥有碳化硅功率器件的全产业化经验，掌握宽禁带半导体功率器件的核心技术和应用核心技术，产品性能达到国际领先水平，取得相关专利四十余项。公司已经批量出货的第二代的SiC MOSFET在器件优值因子和栅极抗串扰性能业界领先，产品已经导入新能源汽车、直流充电桩、光伏储能、数据中心电源和消费电子等诸多领域，营业额迎来爆发性增长，产品和服务深受客户好评。

在技术突破方面，芯塔电子已研发成功第五代SiC SBD产品，性能和成本达到全球行业头部企业当前主流产品；完成下一代沟槽SBD结构和低势垒SBD器件的设计和专利布局。芯塔电子第二代5款型号SiC MOSFET芯片已实现量产，性能达到全球头部企业第二代水平；第三代平面型SiC MOSFET设计性能达到全球头部企业最新一代产品水平，芯片尺寸缩小30%以上，可完全实现国产替代。

在具体产品方面，芯塔电子推出了工业级/车规级用碳化硅功率器件1200V/40mΩ SiC-MOSFET TM2G00400120K，TO-247-4L封装。该产品采用XM2.0工艺，为平面型结构，终端采用VLD结构。通过优化设计和仿真，产品具有更小的米勒电容，更高的抗干扰能力、功率密度和系统效率。

据悉，该项目团队采用Poly自对准工艺和结合氧化自对准工艺。这些工艺能够确保器件的制造过程更加精确和可控，从而提高器件的性能和可靠性。在器件设计方面，通过优化元胞设计来提高器件的性能。通过精确调整元胞的几何形状和尺寸，这样能够减小电阻并提高开关速度，从而提高整体性能；此外，项目团队还优化了栅氧工艺，以降低器件的米勒电容，这可以提高器件的开关速度和抗干扰能力。通过以上的技术优化和自主创新，芯塔电子新一代SiC MOSFET功率器件具备出色的性能和可靠性，它能够满足各种高压、高温应用的需求，并为国内碳化硅产业的自主可控发展提供稳定的基础。

据悉，芯塔电子SiC MOSFET已批量出货南京博兰得20KW直流充电模块产品。基于博兰得专利技术，该产品采用SiC方案后，可做到全范围高效输出，峰值效率可达97.5%，平均满载效率高于96%，领先业界平均水平2%。芯塔电子的碳化硅器件在该客户批量供应近一年，运行可靠，现场器件零失效。目前，芯塔电子碳化硅器件已经进批量进入超过50%的充电桩头部客户，已成为充电桩应用市场碳化硅器件头部供应商。

展望未来，芯塔电子将全面推进SiC功率器件核心技术及工艺国产化迭代，继续深化国产化供应链保障能力，为光伏、储能、充电桩、新能源汽车等客户提供充足的产能保障和优质可靠产品解决方案，致力于成为全球领先的碳化硅功率器件和解决方案提供商。

【奖项申报入口】

2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度车规芯片技术突破奖】

旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国车规芯片产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1、深耕车规芯片某一细分领域，2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；

2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用；

【评选标准】

1、技术的原始创新性；（50%）

2、技术或产品的主要性能和指标；（30%）

3、产品的市场前景及经济社会效益；（20%）

【年度最具成长潜力奖】

面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。

【报名条件】

1、在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；

2、2023年主营业务收入为500万——1亿元的创业企业；

【评选标准】

1、评委会由数百位半导体行业CEO共同组成；

2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”；

【年度车规芯片优秀创新产品突破奖】

旨在表彰补短板、填空白或者实现国产替代，对于我国车规芯片产业链自立自强发展具有重要意义的企业。

【报名条件】

1、深耕车规芯片某一细分领域，近一年内实现新产品的研发；

2、产品的技术创新性强，具有自主知识产权，产生一定效益，促进完善全国产车规芯片供应链自立自强；

【评选标准】

1、技术或产品的主要性能和指标；（30%）

2、技术的创新性；（40%）

3、产品销量情况；（30%）

（校对/张杰）