赛微电子2022年研发投入为3.46亿元，占营收比重达44.01%

集微网消息，近日，赛微电子发布2022年年度业绩报告称，公司一直重视技术和产品的研发投入，近年来大力推进MEMS工艺开发技术、MEMS晶圆制造技术、GaN材料生长工艺技术、GaN器件及应用设计技术等的研发，一直保持着极高的研发投入水平和强度，2020-2022年，公司研发费用分别高达1.95亿元、2.66亿元、3.46亿元，占营业收入的比重分别高达25.54%、28.69%、44.01%。

截至本报告期末，赛微电子拥有博士42名，硕士207名，合计占公司总人数的26.95%；公司研发及技术人员合计384名，占公司总人数的41.56%；公司外籍员工合计380名，占公司总人数的41.13%。在MEMS领域，公司核心技术团队均是资深专业人士，服务公司多年且经验丰富，CEO、首席技术专家和核心产品组经理从业时间均超过10年；在GaN领域，公司核心技术团队从业经验丰富，具备把握市场机遇、推动产品落地及产业化的能力。

高研发投入下，截至2022年末，赛微电子拥有各项国际/国内软件著作权98项，各项国际/国内专利167项，正在申请的国际/国内专利86项。

业绩方面，2022年赛微电子实现营业收入78,581.57万元，较上年减少15.37%；归属于上市公司股东的净利润-7,336.11万元，较上年下降135.66%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-22,790.92万元，较上年下降735.62%。

截至报告期末，赛微电子总资产697,677.24万元，较期初减少3.63%；归属于上市公司股东的所有者权益498,108.84万元，股本73,328.91万元，归属于上市公司股东的每股净资产6.79元，股本增加了0.45%，归属于上市公司股东的每股净资产较上年减少2.45%。

报告期内，赛微电子MEMS业务体现了较为充分的发展韧性。一方面，在国际地缘政治冲突、通货膨胀高企、收购德国FAB5意外失败的背景下，瑞典FAB1＆FAB2产线重心回归，继续按原计划推动本地新增产能的磨合、持续调试产线以实现成熟运转，在2022年仍继续保持了收入水平（瑞典克朗口径），利润方面虽然金额下降但仍实现了盈利，且继续为下一步的业务恢复和增长奠定产能及工艺基础。

另一方面，虽然面临着巨大的折旧摊销压力及工厂运营费用压力，北京FAB3产线坚持加大研发投入，自主积累基础工艺，积极探索并掌握各类MEMS器件的生产诀窍，由于在报告期进入量产的品类仍较少，产能爬坡不及预期，因此实现的收入增幅有限；但基于目前已覆盖的客户及产品类型，以及随着后续进入试产及量产阶段的产品品类增加，北京FAB3产线具备充足的发展潜力。

2022年，赛微电子MEMS业务实现收入70,888.62万元，其中，MEMS晶圆制造实现收入37,832.62万元，MEMS工艺开发实现收入33,056.00万元，较上年增长10.3%，上述变化的主要原因是：基于公司旗下不同中试线及量产线的定位，即瑞典FAB1＆FAB2属于中试线+小批量生产线，北京FAB3和德国FAB5（该收购最终遗憾失败）均属于规模量产线，瑞典FAB1＆FAB2产线在新增产能扩充及磨合释放前，突出的竞争优势及业务重点在于工艺开发业务，且工艺开发业务具有前置导入属性，需要基于瑞典产线及德国FAB5（当时计划中）的新增产能做好更多储备。

值得一体的是，报告期内，赛微电子积极推进GaN业务，在GaN外延材料方面，赛微电子基于自身掌握的业界领先的8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基GaN外延生长技术，积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、芯片设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证，与境内外代工厂商加强合作，签订GaN外延晶圆的批量销售合同并陆续交付；在GaN芯片方面，赛微电子已陆续研发、推出不同规格的功率芯片产品及应用方案，已推出数款GaN功率芯片产品并进入小批量试产，与知名电源、家电及通讯企业展开合作，进行芯片系统级验证和测试，签订GaN芯片的批量销售合同并努力解决产能限制以实现陆续交付，同时积极寻求长期稳定的产业链合作伙伴。

报告期内，赛微电子持续布局GaN产业链，以参股方式建设GaN芯片制造产线，积极推动技术、工艺、产品积累，以满足下一代功率与微波电子芯片对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性GaN外延材料以及GaN芯片的需求，努力为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心部件的材料保障及芯片配套。

（校对/占旭亮）