美一直都在修改芯片规则,限制国内厂商在芯片半导体方面发展,如今看来,美再努力都是徒劳,国产芯片的局面将彻底改变。
从2019年开始,美先是通过瓦森纳协定限制ASML出货最先进的EUV光刻机,导致国内厂商全款订购的设备至今没有到货。
华为5G等技术领先后,美就开始限制美企业出货,像高通、谷歌、英伟达等,甚至还限制台积电等采用美技术的芯片企业。
数据显示,美大约限制超4000家企业出货,很多国内厂商也被美列入所谓的实体清单,用任正非的话,美就是希望华为死掉。
但经过三年的努力,华为活下来了,2023年将会更有质量地活下去。
结果美坐不住了,进一步修改规则,不仅限制高通等向华为出货4G芯片等产品,还通过三方协议限制先进光刻机等设备的出口。
消息称,美变本加厉的修改芯片规则,目的就是想全面切断14nm以下工艺。
意外的是,三方协议内容公开后,ASML通过官网表示,仅仅是2000i及后续型号的DUV光刻机不能出货,1980Di型号的DUV光刻机仍可以自由出货。
另外,该光刻机单次曝光精度为38nm,在多重曝光工艺下,可以将芯片制程缩小至7nm。
也就是说,ASML继续向国内出货的光刻机完全可以满足国产芯片的发展需求。
关键是,美情报局也发声了,美欲切断14nm以下工艺的芯片,这必然会促使中国厂商在成熟工艺方面成为全球主导。
要知道,目前全球紧缺的是成熟工艺芯片,绝大多数芯片需求也是成熟工艺,国内厂商在加速扩大成熟工艺的芯片产能,这已经无法阻挡。
而且,中芯国际等国内厂商早就表示,28nm等工艺芯片的风险进一步降低,已经量产的芯片中,敢于同国际大厂相比较。
再加上,比尔盖茨也表示,美是不可能阻止中国拥有强大性能的芯片。
所以就有外媒表示国产芯局面彻底变了,美想阻止国产芯崛起是不可能的事情。
首先,ASML继续向国内出货光刻机,在多重曝光工艺下,可以将芯片制程缩小至7nm,而国内厂商已经完成7nm工艺的开发任务,还小规模试产了类似7nm的N+1工艺的芯片。
另外,华为已经明确表示今年全面验证国产化14nm工艺,上海微电子28nm精度的光刻机也取得了技术验证,像倒片机、蚀刻机等设备,最高都突破到了5nm。
其次,中芯国际是全球扩大成熟工艺芯片产能最多的厂商,良品率也达到了世界领先水准,这意味着中芯国际必然会通过成熟工艺实现进一步跨越。
美情报局都表示中国将会成为成熟工艺芯片成为主导,中芯国际又是产能最大的厂商,这将会给中芯国际带来更多营收和利润,从而促进更先进工艺的研发。
要知道,台积电是凭借智能手机的红利快速崛起,魏哲家表示新能源汽车给成熟芯工艺芯片带来了巨大的机遇,比智能手机机遇还大。
而中芯国际在成熟工艺芯片方面扩产最早,扩产产能又是最大,良品率也达到了世界领先水准,自然也会凭借该机遇快速崛起
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