国产光刻机曾很接近世界顶级水平，遭买办思维毒害自废武功

最近有则消息听来振奋人心：我国第一台国产光刻机已通过专家验收并投入生产；此外，据说国产光刻机发展迅猛，大约在2035年左右能够实现极紫外线（EUV）光刻机的量产。

如果状况属实，那么这对我国而言意义可谓是伟大的。

眼下俄乌依旧打得有你没我，许多人感慨，如果当年乌克兰没有自废武功，怎可能会像今天这般被人随便拿捏？然而小到个体的人，大到一个国家，犯错是无法避免的，我们也曾走过弯路。

要知道，光刻机在新中国的发展史上可是留下了一道深深的伤口

一说早在1965年，中国科学院便研制出了65型接触式光刻机。如果不考虑性能上的差距，美国第一台接触式光刻机是由GCA公司于1961年制造的，彼此间只差了4年。

彼时的中国人憋着一股“超英赶美”的志气，从不服输。在这种信念的支撑下，中国光刻机技术进入了一段蓬勃辉煌的独立自主发展期。

70年代初期，中国科学院开始研究计算机辅助光刻掩模工艺；

1977年，我国成功研制GK-3型半自动光刻机。

1980年，清华大学在第四代分步式投影光刻机技术研究上取得成功，光刻精度达3微米，接近国际主流水平。

1982年，中科院109厂研制出第一台KHA-75-1型光刻机，与世界尖端水平差距缩短到5年内。

1985年，我国新型分步式光刻机试验机通过验收，经专家鉴定，其性能逼近美国光刻机巨头GCA公司4800DSW型光刻机的水平。值得一提的是，这是中国第一台分步投影式光刻机，虽不像一些资料中描述的那般“领先世界”，但它却让我国在光刻机领域紧紧咬住了世界第一梯队的步伐，与顶端的差距最多只有七八年。

至此，中国光刻机技术发展史已然抵达顶点，但谁又能想到，它竟也成了一个辉煌时代的落幕？

随着改革开放的深入，中国以积极的姿态融入世界，扑面而来的巨大机遇中也夹藏着许多“甜蜜的毒药”。上世纪七八十年代，中美着实度过了一段“蜜月期”，大到先进武器，小到各种民用产品，只要钱到位都不再是触不可及的奢望。西方国家也表现得相当“慷慨”，连光刻机这样的尖端产品也愿意出售。

回看那段往事，那会儿美西方对我们的“慷慨”，究竟是一时的好意还是险恶的阴谋，其中的利害实在意味深长。

另一方面，我国光刻机发展恰巧遭遇瓶颈，被卡在193nm光源已有小二十年。既然能够轻松获取，为什么还要费劲研发呢？彼时的中国远不算富裕，两相对比，“买办思想”很快就占据了主流。逆水行舟不进则退，中国与第一梯队的距离越来越大，很快便彻底脱节。

其实在这个领域，相比我们与美、日、欧的差距，第一梯队内部的斗争要惨烈且残酷得多。

光刻机的原理其实并不复杂，甚至在发在初期，其复杂程度甚至不如照相机；一些对光刻机有需求的企业并不向专业厂商购买，而是买来零件自己组装，如英特尔。而最早的光刻机发展潮流，是由美国人领导的。

1961年，美国GCA公司研制出第一台接触式光刻机，成为光刻机产业的巨头。

1967年，在美国空军的支持下，珀金埃尔默仪器公司推出世界首台投影式光刻机Micralign100，一夜间将芯片良率提升了7倍。

1978年，GCA公司又推出步进式光刻机DSW4800，分辨率可达1微米。虽然该型光刻机的单价高达45万美元，但各大企业仍趋之若鹜，根本不愁卖。至此，GCA公司进入全盛时期，在其引领下，美国光刻机产业如日中天，殊不知养虎为患，由美国人打造的“产业盛世”已经进入了倒计时。

进入70年代，各大半导体厂商越来越多地选择日本企业以配套光刻机的光学镜头，如尼康、佳能等。在这个过程中，日本企业将本不复杂的光刻机技术摸得一清二楚，并开始了自己的尝试。

随着光刻技术的不断进步，芯片制程越来越小，光刻机技术对光学系统的依赖也越来越重。在这个过程中，以光学元件见长的日本企业逐渐崛起，飞快地从美国人手中夺走市场份额。GCA公司没落并被收购，最终，日本人成为光刻机领域新的领头羊。

1984年，正当我国对独立研发光刻机的追求逐渐被“买办思想”蚕食殆尽时，荷兰飞利浦公司在总部大楼前的空地上临时搭建了一排简易厂房，作为一家拥有31名员工的新成立的合资公司的办公场所，这个不起眼的小公司，便是如今掌握超过六成光刻机市场、地位无可撼动的荷兰阿斯麦（ASML）公司——您若想要生产10nm以下芯片，只能向该公司购买尖端光刻机，除此之外没有第二个选择；这样的光刻机，一台的售价为1.2亿美元，有钱还不一定能买到。

几年前，我国曾向阿斯麦公司订购一台先进光刻机，连定金都交了，谁料好巧不巧，荷兰费尔德霍芬一座工业园发生火灾，殃及阿斯麦公司的一家重要供应商，结果直到今天，我们也没收到货。

2007年，阿斯麦公司占据的市场份额首次超过尼康，世界头把交椅正式易主。

说来有趣，前者能达到今天的高度，颇有“靠同行的衬托”的意味

原来，90年代末期，咱们中国面对的193nm光源的技术难题，把整个世界都搅得天翻地覆。2002年，台积电光刻技术研发负责人林本坚提出了一个思路：改用水做介质，改变光的折射率，从而突破瓶颈。

林本坚觉得技术可行，立马向世界各大光刻机厂商推销，谁料跑遍了美国、日本和德国却一无所获——没有人愿承担风险做一场豪赌，而是纷纷把精力倾注于传统的干式光刻机技术突破上，结果就让阿斯麦公司捡了个漏。

要知道，当时的阿斯麦远算不上“巨头”。

1988年，阿斯麦公司尝试对外扩张业务，却差点因资金问题破产，后来靠着老东家飞利浦的接济才渡过难关。1995年上市后，阿斯麦从飞利浦手中购回了全部股份，这才彻底实现财富自由。

如此冒险带来的回报之丰厚是肉眼可见的：在投入了大量人力财力后，阿斯麦公司终于在2004年推出了第一台浸润式光刻机样机，实现了132nm光源波长技术；几乎同一时间，尼康公司也大张旗鼓地推出157nm光刻机，但这已于事无补了。

您看，就连曾经牢牢占据着先机、拥有雄厚财力和大量尖端人才的顶级企业，无论是GCA还是尼康，都会沦为被后浪拍碎在沙滩上的前浪；更可怕的是，尼康之败，也仅是一念之差而已。如此再看，我国八九十年代奉行“造不如买”主张造成的后果，实在是令人倍感遗憾。

其实，我国从未放弃过对先进光刻机技术的追求

2002年，上海微电子装备有限公司（即SMEE）成立，中国电子科技集团45所将相关团队整体调往上海，强强联手。
2008年，我国重整光刻机发展战略，决定对EUV光刻机技术发起重点攻关。
2016年，上海微电子已实现量产90nm、110nm和280nm三种光刻机。
2017年，中科院宣布EUV光刻机关键技术研究实现重大突破。

2021年，我国制造的首台28nm光刻机，理论上能生产7nm芯片。然而此时，ASML公司已向全世界宣布1nm以下芯片制程技术路线图。

从某个角度来看，“造不如买”在特殊的时代背景下有着一定的合理性。

2019年，名列世界半导体行业第五名的中芯国际，净利润约为12亿美元；而当年ASML公司投入技术研发的资金就多达20亿欧元，数额巨大，却仅占该公司净销售额的17%左右。对于改革开放后亟待发展的中国而言，无论是金钱还是时间，都是无法承受的“巨额成本”，“以买代造”风气的盛行，其实也情有可原。

我们回到文章开头的话题：据说我国第一台国产光刻机已经投产，其技术之先进足以比肩世界顶级水平；甚至有人说，连阿斯麦公司都感受到来自中国企业的巨大威胁，美欧“卡脖子”的把戏即将破产。

如此一说的确振奋人心，然而，笔者对此表示怀疑

差距越小，竞争就越残酷，但近20年过去了，在光刻机领域，第二名与第一名的差距非但没有缩小，反而进一步拉大。

此外，我们与世界顶级水平相差的不仅仅是那几纳米——阿斯麦的背后有着一整套成熟完备的运作体系和上游产业做支撑，这使得它不惧挑战，就连英特尔、三星这样的巨无霸都无法撬动阿斯麦公司在光刻机产业中的霸权地位。

可以说，我们距离说“赶上世界领先水平”尚且为时过早，现实的惨淡，应当比眼下网络上到处“放卫星”更加引起我们的重视。

不过毋庸置疑的是，中国的光刻机技术的发展从未废止，而是一步一个脚印地顽强前进着。这意味着中国人的进取精神从未泯灭，仅这一点就足以让我们有理由对未来心怀期待——凡事从一到二易，从零到一难。我们有理由相信，只要坚持不懈，再大的差距也总有被填平的一天。