很多人都以为芯片发展是中国的短板,实际上这个说法有点“模糊”,准确来说硅基芯片才是我国目前的短板,但目前这项短板也在进一步弥补。
不过实际上硅基芯片并不是我国目前的主要战略部署,此前有消息称中科院获得3nm芯片技术突破,并且将在2023年开始量产。
大家可能会有疑问,作为一直以来无法突破10nm以下工艺硅基芯片的我国,如今却突然可以实现量产3nm芯片,是不需要用光刻机了吗?可以取代台积电3nm工艺吗?
对于这2个问题,接下来给大家解释一下,首先我国目前针对于硅基芯片的量产技术依旧保持在10nm制程,并且暂时没有14nm以下制程的芯片进行量产商用。
同时针对于光刻机自研技术保持在22nm工艺,也就是成功研发的超分辨率光刻机,目前已经投入量产。
仅拥有硅基芯片10nm以上工艺制程量产技术和22nm工艺制程光刻机自研技术的中国,是怎么做到即将量产3nm芯片呢?
其实这里有一个误区,那就是中科院官宣的3nm芯片技术获得突破,指的是3nm光子芯片,而不是硅基芯片,提及光子芯片,想必大家都记起来了。
由于我国在硅基芯片方面的发展历程比较短,所以落后世界领先技术,以至于目前台积电和三星的硅基芯片都已经升级到3nm工艺了,中国却依旧保持在10nm及以上工艺制程。
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