中国芯片14纳米，美国芯片4纳米，那么美国军用芯片就一定先进？

谈到芯片的时候，都喜欢以工艺更先进代表更强的性能，那么对于军用芯片来说是否更先进的工艺就更先进？美国可以4纳米工艺生产芯片就一定领先？中国的军用芯片性能就落后？不一定。

对于军用芯片来说其实并非完全由先进工艺决定性能，军用芯片首要的考虑是高可靠、抗干扰、抗辐射等性能，毕竟在那种特别的环境中，芯片的工作环境非常复杂，尤其是如今干扰与反干扰技术都已经如此先进的情况下，军用芯片更需要考虑这些因素。

对于军用芯片来说，先进工艺生产的芯片由于晶体管的距离太短，抗干扰、抗辐射的能力就弱，可靠性也会下降；对于航天、导弹等会进入太空空间的设备来说，它们的工作环境就更恶劣了，将会遇到宇宙高能粒子辐射等，这更是要求芯片的抗辐射能力足够强。

大家可能想不到，拥有先进工艺制程的美国，它的军用芯片其实是用非常落后的工艺生产的，F22用的是IBM以500纳米工艺生产的芯片；NASA登陆火星的毅力号火星车采用的是IBM以250纳米生产的芯片，这恐怕出乎大家意料吧？

这些先进武器以及航天器用如此工艺，就在于它的抗辐射、抗干扰能力足够强，但是通过做大面积的方式可以提供满足要求的性能，再加上美国武器生产商为它们适配的软件进行优化，如此性能方面已经足够满足要求。

其实不仅军用芯片如此，在制造行业的一些行业也非常重视可靠性，而不是先进的性能，例如汽车芯片，高通早在2015年就推出了汽车芯片骁龙820A，然而汽车行业足足测试了数年，直到2021年才开始大规模采用这款芯片，而骁龙820A不过是一款14纳米的芯片，2021年台积电已量产5纳米了，可见在重视可靠性的行业都不仅仅考虑先进工艺。

相比起汽车芯片，军用芯片的测试时间更长，毕竟它需要考虑的芯片工作环境复杂因素更多，如此的情况下，当民用先进工艺已经量产后，军用芯片开始采用往往都是数年之后，而且军方部门还得对这些先进工艺进行改良，确保它能满足军用芯片对可靠性、抗干扰、抗辐射能力的要求。

由此可见，虽然中国如今量产的最先进工艺仅是14纳米，但是对于军用芯片来说其实已经足够了，而且中国的芯片制造技术正在推进自主化，如今已基本能实现完全国产化的28nm及以上工艺更重要，因为这些工艺在特别情况下，即使海外无法供应相关的芯片材料，我们也能自主生产，这才是更重要的。

正是由于军用芯片工艺的独特性，在近20年里，虽然中国民用芯片制造工艺以成熟工艺为主，但是中国的军用武器却总是能居于全球领先水平，就如2022年珠海航展展出的无人机等先进武器，在采用纯国产芯片的情况下，它们的一些性能指标却居于全球前列，甚至比美国的MQ9死神无人机还要领先。

如今俄乌正在进行的特别军事行动也说明了成熟工艺芯片能满足要求，伊朗为俄罗斯供应的无人机被拆解后发现用的芯片是1980年代生产的，这也说明了对于军用武器来说真不需要采用先进工艺的芯片，而且这带来的另个好处是成本优势，这些超低成本的无人机都是一次性消耗品，更低成本可以实现大规模制造，而防御的一方却需要更多成本来反击，这样的消耗战让另一方更是难以承受。

总的来说，军用芯片和消费芯片完全是两回事，芯片制造工艺的先进并非是军用芯片的唯一考虑因素，对于中国的军用芯片来说，成熟工艺已经足以满足要求，在其他芯片技术以及软件的支持下已足以达到全球领先水平，相反能实现完全自主化生产才是更重要的考虑，这样军用芯片就能在任何情况下都能正常生产，确保在特殊情况下依然能稳定供应。