三星,应该算是一个让国人又爱又恨的公司。爱,是因为三星的技术优势,众多产品赢得了客户的喜爱;恨,也是因为三星的技术优势,特别在闪存、内存等半导体方面的技术优势,领先国内公司一大截
那么,三星的固态硬盘SSD具有哪些优势呢?且听我娓娓道来!
优势一:V-NAND
固态硬盘SSD中的存储介质是NAND闪存。NAND闪存的质量对于固态硬盘的寿命和性能起到至关重要的作用。三星是最早开始进行2D制程到3D NAND的转换,三星的3D NAND叫做V-NAND,采用的是电荷撷取技术(CTF,Charge Trap Flash)。
与传统的浮栅技术(FG, Floating Gate)不同,CTF电荷撷取技术是将电荷存储在绝缘层,而FG浮栅技术是将电荷存储在浮栅,浮栅是一个导体,如下图所示。电荷存储在绝缘层不容易跑掉,而是电荷存储在浮栅很容易因为缺陷而跑掉。所以,从一定程度上来说,采用CTF电荷撷取技术的V-NAND要比采用FG浮栅技术的NAND寿命更长,更可靠。
优势二:RAPID加速模式
三星固态硬盘有一个专门的优化工具,叫做Magician。其中有一个最神奇的优化功能是RAPID。RAPID全称是Real Time Accelerated Processing of I/O Data,中文意思是"实时数据传输加速处理技术"。RAPID实现原理,是利用系统内存为固态硬盘加速,效果十分的显著,如下图所示,RAPID off时顺序读取速度只有551MB/s, RAPID on时顺序读取速度可以达到1063MB/s,性能直接翻倍了。
优势三:Turbo Write技术
现在很多的固态硬盘采用的NAND闪存颗粒是TLC的,但是TLC的读写速度要比SLC要慢很多。为了提升固态硬盘的读写性能,会在固态硬盘中增加一块SLC缓存区,数据会先写入SLC缓存区,等SLC缓存区写满之后,再把数据搬迁到真正的TLC存储区域,这就是我们要说的Turb Write技术。
如下图测试结果,开启Turbo Write技术之后,对顺序读取性能没有什么影响,对顺序写入性能有很大的提升。
优势四:Multi-Stream技术
固态硬盘的存储介质NAND闪存都有一定的P/E Cycle寿命。Multi-Stream技术的实现原理将写入的热冷数据分类,目的就是为了减少对NAND闪存的擦写次数(P/E Cycle)。
采用Multi-Stream技术后,固态硬盘的性能提升了9倍之多。
三星的技术优势还有很多,在这里就不再一一列出了。
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