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集微网消息，7月4日，国基南方发布消息，2022年在碳化硅领域取得突破性进展，SiC MOSFET首次获得新能源汽车龙头企业大批量订单。在激烈的市场竞争中，赢得碳化硅领域发展先机。
近年来，国基南方陆续发布650V-1700V SiC SBD产品，在充电桩、服务器电源等领域获得大批量使用。2020年国内率先实现6英寸650V-1700V SiC MOSFET量产，同年国内首次实现国产1200V SiC MOSFET批量上车应用，6.5kV-20kV高压SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平国际先进。2022年650V-1200V SiC MOSFET量产，满足60万辆车载应用需求。
据悉，2018年国基南方在国内建立了6英寸碳化硅器件工艺平台。目前，国基南方已在国内建立起第三代半导体碳化硅自主体系，形成了覆盖碳化硅材料、设计、制造、封测的完整技术布局。
此外，以国基南方作为依托单位建设的国家第三代半导体技术创新中心（南京）于2021年挂牌成立。目前，国家第三代半导体技术创新中心（南京）正加快建设，厂房改造、工艺设备等各项工作均按期推进。（校对/小北）
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