获哈勃投资、聚源聚芯入股，东微半导体闯关科创板

又一家功率半导体厂商正式叩响科创板大门。6月17日，苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导体”）科创板上市申请获受理。

△Source：证监会截图

招股书显示，东微半导体本次拟公开发行股数不超过约1684.41万股新股，不低于本次发行后公司总股本的25%。如本次发行上市采用超额配售选择权的，行使超额配售选择权发行的股票数量不超过本次发行上市股票数量的15%。

超级结MOSFET打破国外垄断

资料显示，东微半导体成立于2008年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。

报告期内，东微半导体的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET，广泛应用于以新能源汽车直流充电桩等工业级应用领域以及PC电源等消费电子应用领域，同时进一步开发了超级硅MOSFET、TGBT等新产品。

据招股书介绍，东微半导体是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代，是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一，积累了全球知名的国内外品牌客户群，已成为部分行业领先客户认证的国产供应商之一。

根据《人民日报》报道，2016年4月，东微半导体推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位。2019年度，东微半导体MOSFET器件的平均销售单价为2.19元/颗，远高于同行业的平均单价1.19元/颗。

经营业绩方面，2018年、2019年、2020年，东微半导体的营业收入分别为1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元；归母净利润分别为1,297.43万元、911.01万元、2,768.32万元；研发投入占营业收入比例分别为10.49%、6.13%、5.18%；综合毛利率分别为26.38%、14.93%、17.85%。

截至2021年4月30日，东微半导体已获授权的专利52项，包括境内专利38项，其中发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利14项。

获聚源聚芯、哈勃投资等入股

作为本土功率器件主要厂商之一，东微半导体获得了不少投资机构的青睐。

截至招股书签署日，东微半导体无控股股东，实际控制人为王鹏飞及龚轶，二者为公司的共同控制人。而前十大股东阵营中，业内熟知的投资机构聚源聚芯、哈勃投资在列。

△Source：东微半导体招股书

根据招股书，聚源聚芯持有东微半导体9.95%股份，为第四大股东。聚源聚芯的第一大股东为国家大基金，国家大基金持有聚源聚芯45.09%股份；哈勃投资持有东微半导体6.59%股份，位列第六大股东，而前者则由华为投资控股有限公司持有100%股权，是华为旗下投资平台。

△Source：东微半导体招股书

此外，东微半导体的第二大股东原点创投和第五大股东中新创投均为知名投资机构元禾控股旗下投资基金。

募资9.39亿元加码功率器件

根据招股书，东微半导体本次首次公开发行股票拟募集资金9.39亿元，扣除发行费用后将用于投资超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金。

△Source：东微半导体招股书

其中，超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目拟投入募集资金金额2.04亿元，将基于公司深槽超级结技术以及屏蔽栅技术的丰富积累，对高压超级结MOSFET产品及中低压屏蔽栅MOSFET产品的设计及工艺技术等方面进行改进和提升。

新结构功率器件研发及产业化项目拟投入募集资金金额1.08亿元，拟在未来三年陆续推出高速率IGBT、超级硅MOSFET以及新一代高速大电流功率器件产品。

研发工程中心建设项目拟投入募集资金金额1.70亿元，将围绕SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行产品技术的创新研发，开发新的技术方案，增加功率器件失效性和可靠性的固 定资产投入，优化实验环境，提升测试效率，进一步保障产品质量。

科技与发展储备资金拟投入募集资金金额4.57亿元，随着公司业务规模扩张，产品种类不断丰富，公司预计将出现一定流动资金缺口；此外，伴随业务发展，公司亦考虑通过投资并购方式整合行业优质标的，谋求产业资源的有效协同。

东微半导体表示，未来将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商，将持续专注于研发高效率、低损耗产品，实现国产功率器件的自主可控；深化与上下游优秀合作伙伴的合作，实现双赢；探索资源整合的方式，加速产品能力提升。