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关注芯片发展的朋友都知道， 在全球缺芯的大背景下，全球各方都开始加码芯片制造，动辄都是上百亿美元的投资建厂，而除去扩充产能之外，大家最为关注的消息当属芯片制程上的突破了。
根据5月6日消息，前芯片制造巨头IBM发布了全球首个2nm芯片制造技术，相比于当前7nm速度要快上45%，能效高75%。
而由于发布该技术的IBM研究中心乃是与三星、英特尔签署了联合开发协议的，由此相当一部分人认为三星可能凭此赶超台积电。
然而令IBM始料未及的是，半个月不到，台积电方面就传来一个事关1nm芯片的新消息，没想到一切来得这么快！
台积电研发出1nm新材料
根据5月17日最新消息，台积电联合台大、麻省理工正式宣布了一则喜讯，那就是已经研发出可用于1nm芯片制造的新材料，并且目前该成果已经在《自然》杂志发表。
据悉，这种新材料乃是半金属铋 Bi ，利用该新材料可以实现接近量子极限的能效，有望打破摩尔定律极限，实现硅芯片向半金属芯片的转变。
IBM刚刚发布2nm芯片技术，不到半个月台积电就拿出了足以引领行业进阶发展的1nm材料，这一切也来得实在太快了！
值得注意的是，根据我国复旦大学的教授周鹏的说法，台积电这项技术的突破也为我国半导体发展带来了新思路。
因为台积电的成功证实了从材料突破上的可能性，国产芯片产业如果想要实现弯道超车，那么新材料会是一个不错的新方向。
事实上，早在华为芯片面临断供窘境之时，我国院士张钹教授就提出了一个类似的观点：“基础技术工艺的落后并非一朝一夕就能赶上，我们需要选择新航道、新灯塔。”
什么是新航道、新灯塔？相比于目前主流的硅基芯片，半金属铋芯片就是这样一个新航道、新灯塔。
当然，也并非铋芯片不可，其他材料或许也能有望，比如中科院的碳基芯片。
光刻机仍是一道坎
据悉，在2020年底的时候，国产8英寸石墨烯晶圆就开始小批量生产，用石墨烯晶圆切割出来的碳基芯片，其性能是传统硅基芯片的十倍。
这无疑就是前面张钹院士所提到的新航道，新赛道，如果我们能够，那么是不是意味着在国产芯片领域我们就可以完成“弯道超车”了呢？
然而令人遗憾的是，虽然在碳基芯片的技术上我国暂时处于领先，但是如果要产业化，制造成品芯片，那么光刻机仍是一道坎。
甚至由于碳基芯片本身性能上的活泼和不稳定，对于光刻要求会比传统硅基芯片还要高。
因此，在短时间内发展碳基芯片替代硅基芯片的可能性几乎没有。
不过这也是一个好消息，至少证明尝试新材料的方向是没有错的，更何况台积电当前已经完成了1nm新材料铋金属的研发，我们也能以他山之石攻己之玉，尝试向半金属芯片方向发展。
写在最后
毫无疑问的是，此次台积电新材料的成功研发算是给芯片制造行业带来了一个新方向，硅基芯片或将沦为历史，诸如半金属芯片，碳基芯片，光子芯片等或许会成为未来主流。
当然，目前我们的短板还有很多，就算是真的研发出了新材料，那么一时半会也是无法完成超车的。
因此，现在我们要做的就是用“两条腿”走路，一方面继续发展传统硅基芯片，致力于实现70%芯片自给率目标，一方面
也不要忘了继续研究新材料，尝试“弯道超车”的可能性。
简单来说，目前国产芯片行业的目标有两个，一个是追赶当下，一个是着眼未来，二者缺一不可！
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