好消息接二连三！EUV光刻机引进有望，中国芯将捅破摩尔定律极限

　　如果说2020年是中国半导体领域充满坎坷的一年，那么已经来临的2021年就将成为中国在半导体领域中凤凰涅槃的一年，去年的华为事件闹得人尽皆知，华为事件之所以会发生，主要是因为我们在芯片领域的确是存在着一定的短板，再加上华为最近几年发展势头非常大，这让美国感受到了威胁，于是在这样的情况下，美国才会对华为进行大肆的打压。

　　短板

　　好死不死的是美国偏偏抓住中国在芯片上面的短板对我们进行大肆打压。在信息化时代之中，手机，平板等等电子设备对于人们来讲是非常重要的，而这些设备最重要的就是半导体芯片。目前来讲，全球最先进的芯片制造工艺就是五5米，而这种工艺掌握在台积电的手中。不过在华为事件发生之后，中国在这一方面也取得了一定的成就。

　　中芯国际经过多年的发展，实现了14纳米芯片的量产，在未来，有更大的进步空间。的确，比起国际上的知名芯片公司，我们的确还存在着一定的差距，但这已经足以证明我们想要发展半导体领域的决心。目前我们已经取得突破，这对于我们来讲也是可喜可贺的一件事情，而最近好消息接二连三传来。

　　光刻机

　　首先就是光刻机，其实早在2018年，中芯国际就曾经向荷兰的ASML采购过一台EUV光刻机，要知道euv光刻机是生产高端芯片的重要设备，不管是7纳米，3纳米还是2纳米。因为中芯国际在芯片上面的发展都起着一定的推动作用，但后面因为美国方面的横加干涉，导致euv光刻机直到现在都没有能够交付。

　　这一点严重耽误了我国芯片产业的发展，而最近荷兰的ASML正式表态表示对于中国市场的重视，未来将会加快在中国市场内的布局。除此之外，中芯国际刚刚上任不久的蒋尚义也已经来到荷兰与阿斯麦方面进行EUV光刻机上面的谈判，相信此次谈判应该会让我们得到满意的结果。

　　芯片

　　除了在光刻机领域，在芯片上我们也已经取得了相应的成就。最近，复旦大学微电子学院周鹏团队攻克了一系列的技术难题。在3纳米芯片的关键技术上，我们现在已经取得了重大的突破。

　　有相关报道称，周鹏团队验证了双层沟道厚度分别为0.6-0.12纳米的围栅多桥沟道晶体管,已经实现了高驱动电流以及低泄漏电流的融合统一，为以后高性能低功耗电子器件的发展提供了最新的技术途径。而此次我们所攻克的这种3纳米芯片关键技术，捅破了摩尔定律的极限，给中国研制国产3纳米高端芯片奠定了一定的技术经验基础。

　　虽然我们现在还没有获得7纳米芯片的量产，研制3纳米并不现实，但是前面讲到过euv光刻机也很有可能即将到货，所以想要突破7纳米芯片的量产应该只是时间的问题，相信总有一天我们能够在光刻机以及芯片上，同时做到一定的突破。

　　始料未及

　　相信美国方面应该也没有想到，我们能够从前的一无所知到现在已经能够捅破摩尔定律极限！在这个过程之中，美国成为了最大都推波助澜的关键因素，正是因为有美国打压，所以才让我们严重地意识到掌握芯片技术自主的重要性。

　　在这样的情况下，如果我们还不能够发展自己的芯片半导体行业。那么在将来的发展之中，我们不管有多少令我们骄傲的技术，都会轻而易举被其他的国家所压制，就像此次美国对于华为的打压一样，但如果我们手中真正掌握了技术的自主性，那么在将来的发展之中，我们就能够不受限于任何人，真正实现国产芯片的自主化，将技术掌握在自己手中永远都是我们追求的目标。