关于内存颗粒的小秘密：没想到不同颗粒差异如此巨大

　　[PConline 杂谈]说起内存，对于普通人来说可能并没有什么好谈的，它虽然是电脑中不可或缺的硬件，但只要容量够大，对游戏和日常使用体验的影响感知不强，但对于DIY玩家来说，刷新内存频率的新高同时收窄时序是他们一直追求的事情，虽然3600MHz可能就比2400MHz的内存玩游戏高那么几帧，但是这数字看着就很舒服。

　　决定内存超频主要的因素有三个，其一搭配CPU的IMC（内存控制器），这个主要跟IMC设计有关，而且它也和CPU体质一样 ，同型号每一颗处理器的IMC都会有体质上的差异；其次就是主板和主板BIOS，这就看主板厂商的调教了；最后就是取决于内存的颗粒，今天晓边就来带大家认识一下主流的内存颗粒，也方便大家买到便宜好用还能超频的内存。

　　内存颗粒之间有何区别？

　　为什么内存颗粒之间会有体质区别？首先生产内存颗粒的厂商就有很多家，这个应该很多DIY玩家都知道了，这里简单罗列一下，目前消费市场90%的内存颗粒都是由镁光、海力士、三星这三大家来自美韩的巨头生产，除此以外还有南亚、华邦和力晶等台湾厂商也会生产，不过后面这几家厂商现在主要生产服务器内存的颗粒，消费市场就相对少一点。

国产紫光DDR3内存颗粒

　　内存颗粒就是DRAM芯片，每家厂商技术研发实力不同，芯片设计不同，采用的制造工艺也不同，生产出来的芯片质量自然也会有差别。

　　即使是同一家厂商生产的内存颗粒，也是会迭代发展的，比如海力士第一代DDR4内存颗粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR结尾的颗粒，民间称之为MFR颗粒，这些颗粒能稳定运行在2666MHz或者2400MHz的频率下，但是超频潜力几乎没有，狂加电压也无法成功，随后海力士就推出了以AFR结尾的颗粒，这代颗粒明显改善了超频性能，加压即可超频，频率显著提升，现在又迭代发展到第三代的CJR颗粒。

　　目前主流的内存颗粒有哪些？

　　那么目前主流的内存颗粒有哪些呢？我们就分厂商来说吧。

　　海力士

　　举例时用了海力士，我们就先谈海力士的颗粒。刚刚也说了海力士第一代主推的DDR4内存颗粒为MFR颗粒(也称海力士 M-die），25nm制程，MFR颗粒稳定耐用，但是超频能力几乎没有，现在还多见于低频的DDR4内存中。

　　但是对比友商三星在颗粒上极好的超频体质，海力士处于了下风，为了改善这一情况，2015年年末开始，海力士就推出了H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）三种颗粒，宣告了AFR颗粒（也称为海力士A-die）的到来。通常使用21nm制程的AFR颗粒相比MFR有更好的超频能力，只要加电压频率上3200MHz并不难，但是体质并不算好，高频下时序也很一般。

　　为了对标友商三星在高频内存的优势，海力士潜心研发了数年，终于推出了近两年大火的CJR颗粒。

　　海力士CJR颗粒是SK海力士Hynix C-die颗粒，是继MFR、AFR之后的第三代8Gbit颗粒，采用1X nm（通常为18nm)制程，由于型号“H5AN8G4NCJR”等后缀为CJR的颗粒，所以也称CJR颗粒。CJR颗粒体质好，更重要的是对近年来大火的锐龙平台兼容性非常好，上3600MHz轻轻松松，因此成了DIY玩家，特别是AMD平台玩家的宠儿。

　　除此以外海力士还推出了更新一代的JJR（J-die）颗粒，但这个颗粒是为了取代此前的MFR和AFR颗粒，超频体质稍微不如CJR颗粒。

　　简单总结一下，目前市场主流的海力士颗粒中，以体质排序CJR>JJR>AFR>MFR,当然不排除有个别体质好的特例能以下犯上。

　　三星

　　三星内存颗粒早在DDR3时代就非常能超，在DIY圈建立了口碑，DDR4时代亦是如此，这里就不得不提到三星B-die这个颗粒了。

　　三星B-die是DDR4时代的超频传奇，大部分为20nm制程，无数内存超频记录都是由他完成，是DIY玩家心中的极品颗粒，三星B-die对AMD和Intel兼容性都很好，在Intel平台达到4000MHz以上频率更是基本操作，时序还很低，深受玩家喜爱。

　　不过我们常说的B-die颗粒，其实是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后缀系列中的BCBP颗粒，这些颗粒是被特挑出来专门做旗舰内存的，所以更准确地说体质好的应该叫特挑B-die。

　　剩下的普通B-die 体质虽然也很不错，但是不具备有挑战超频记录的实力，还有一种边角料的B-die ，这些就是体质最差的B-die了。

影驰HOF OC Lab 就是使用三星B-die

　　不过遗憾的是三星上年宣布停产B-die颗粒，一代传奇就此落幕，现在市面上已经越来越难买到三星B-die颗粒的内存了，有也是之前内存厂商屯起来用于制造旗舰产品，价格昂贵。

　　接替B-die颗粒的是三星A-die和M-die，新的颗粒提升了密度，单颗容量更大，让成本降低，方便制造单条32GB或更大的内存，而根据三星所说A-die超能能力与B-die一致甚至更好，容量更大，M-die则次一点。但是这么好的颗粒三星主要用于专业市场和服务器市场，消费市场还没排到，可能等产能上去了我们普通消费者才能接触到了。

　　除此以外目前市场上的三星颗粒还有C-die和E-die，这些体质就相对一般了。

　　总结来说，就讨论目前大家能买到的三星内存颗粒体质，特挑B-die>普通B-die>边角料B-die>C-die≈E-die，而A-die和M-die因为市面没买到也没实测，就不说了。

　　镁光

　　此前镁光颗粒在DIY圈子中存在感还是比较低的，一般稳定耐用，但是超频性能没有三星那么夺目。

　　镁光B-die是比较早期的DDR4颗粒，也是镁光出货量很大的颗粒，这类颗粒稳定耐用，但是别想着能怎么超频了，买到了默认用就好。

　　除此以外镁光还有一家子公司Spectek专门处理镁光检测中不合格的降级颗粒，这些降级内存颗粒会打上Spectek的大S标志，被称为大S颗粒。大S颗粒都是镁光的降级片，但也有好有坏，举个例子，镁光生产3200MHz频率的内存颗粒，把达不到要求的给Spectek降级成2400MHz标准处理售卖，那你不能说这些颗粒达不到3200MHz要求就是垃圾颗粒；但也有些大S颗粒是低端内存筛选标准筛选下来的，良率特低，这些就是垃圾颗粒了。

大S颗粒标志

　　因此大S颗粒鱼龙混杂，也是很多山寨内存条喜欢用的内存颗粒，不是专业能熟读颗粒型号的DIY玩家还是避开比较好。

　　当然，随着时间推移，镁光也和海力士一样奋发图强，推出了一批容易上高频关键价格还不贵的颗粒，它就是最近大火，以5726MHz的成绩打破DDR4内存超频记录的镁光E-die。

　　镁光E-die是镁光17年末生产的颗粒，只是在三星B-die停产之前没什么人玩，直到19年才被神通广大的DIY玩家发掘出来。在超频玩家的手中镁光E-die超频到4000MHz难度不大，但电压要加得比较高，而且时序比较难收窄。虽然有一些瑕疵，但镁光E-die最近还是被热捧，因为目前镁光E-die主要用于英睿达的原厂内存上，价格最低的只要200多一条，非常实惠，堪称平民法拉利。

　　镁光E-die的颗粒不同型号也会有体质上的差异，目前民间实践过最好的是C9BJZ，其次是D9VPP,其他则与普通B-die没有明显差距。

　　如果给镁光的颗粒体质排一个顺序，大概就是E-die C9BJZ>E-die D9VPP>其他E-die>B-die>大S。

　　看完各家小结，大家应该都能看懂哪些颗粒比较好了，但是要是三家汇总起来应该怎么排序呢？不慌，这里晓边就简单总结了一个简易的内存颗粒天梯表给大家参考，有需要的小伙伴也可以保存下来。

　　内存颗粒天梯表 三星 海力士 镁光 特挑B-die E-die C9BJZ 普通B-die CJR E-die D9VPP 边角料B-die JJR C-die、E-die AFR 其他E-die MFR B-die 大S 那么内存颗粒怎么看呢？

　　一般情况下内存颗粒表面就有它的编号了，但是现在的内存基本都有马甲，对于一般消费者来说拆开马甲看颗粒并不现实。

　　此时一个比较方便的方法就通过软件Thaiphoon Burner，这个软件能读取内存的各种信息，下面教一下大家如何使用。

　　百度下载该软件后，直接打开，点击红框框的Read就能进入信息页面。

　　我这条就是十铨生产的内存，使用的是Hynix海力士的颗粒，颗粒编号以CJR结尾，型号也写明了是C-die，很明显我这条内存使用的就是海力士的CJR颗粒了。

　　以此类推，这条内存就是镁光的D9VPP E-die。

　　这条内存就是三星特挑BCPB的B-die。

　　不过台风也不完全准，是基于它的大数据估测的，但也八九不离十，大家想看的话记得更新软件到最新的版本会更为靠谱一些。

　　总结

　　其实除了少部分发烧级DIY玩家以外，内存颗粒的体质对大部分人还是没什么影响的，一般人买了内存回去，开了XMP默认用也能很舒服，本篇文章也是面向极小众的DIY发烧级玩家。

　　而对于这部分发烧友，晓边最后还给一个选购的建议。三星的B-die已经停产，现在基本只存在与高价的旗舰内存中，不必过分强求，镁光的C9BJZ是一个很好的替代品，目前C9BJZ多用于镁光自家的英睿达内存中，某东平台上自营的英睿达铂胜3000MHz的马甲条就大概率是使用C9BJZ颗粒，目前这款内存也是卖到涨价断货了，喜欢折腾的玩家可以关注。