惠普和闪迪打算用这种最新的存储技术颠覆这一市场，这似乎是对Intel和美光（Micron）今年7月份发布的一种3D Xpoint技术的回应。
众所周知，计算设备采用DRAM和SRAM作为易失性存储器，它们的特点是成本相对更高，但数据传输速度更快，在断电的时候数据就会丢失。而对于长期存储，机械硬盘和闪存芯片是常规手段，在速度上更慢，但成本相对更低。
很多人都在梦想一种新的存储技术的出现，就是结合长期和短时存储这两者的优势，这样计算设备的使用体验就能更上一层楼。惠普首席技术官兼副总裁Martin Fink表示：“我们就是要让过去的技术崩溃，让这个世界变得更简单。”
这种被称为通用存储的技术应该算是目前惠普研究的一个重要方向，未来是有机会颠覆过去60年来形成的计算机领域的存储标准的。存储市场当前的主流发展趋势是闪存和DRAM通过缩减晶体管尺寸达成性能提升，这一模式达成的影响正在变小。
惠普与闪迪表示，他们的这次合作会用到两家企业单独研究的两种技术，惠普的的忆阻器和闪迪的RRAM，这两种技术都是利用改变电阻的材料。实际上惠普和闪迪并不是唯一两家在这么做的企业，初创企业Crossbar也在开发RRAM，还有Intel和美光目前公布的技术细节听起来跟其他企业所说的也比较类似。
Moor Insights & Strategy分析师Patrick Moorhead表示，这次的合作实际上“和美光与Intel所说的是同一个阵营”。惠普工程师将会帮助开发这项进技术，闪迪则会进行这种联合设计芯片的生产。除了存储芯片之外，这两家企业还计划在利用这种技术的系统上进行合作。闪迪执行副总裁Siva Sivaram表示：“这是一次长期合作。”
惠普和闪迪表示，他们不会将技术授权给其他企业，先前Intel和美光也表达了相同的战略，这跟传统的模式还是有很大差异的。Fink表示，这种芯片并非价格驱动的商品，“我们正转向基于价值的世界。”这项技术预计会在2018-2020年抵达市场，但并没有非常明确的时间表。
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王晓易_NE0011
