这也就意味着三星已经完成 10nm FinFET 工艺的研发、设计、验证工作。并且已经有完成品可供客户参考，是下一代的芯片工艺标准之一，正式进入商用阶段。使用 10nm FinFET 工艺的消费性电子产品将会在 2016 年正式上市。
此前三星曾经在旧金山于 2 月 22-26 日举办的国际固态电路会议（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首款的 10 nm FinFET 工艺晶元。三星电子半导体事业部总裁 Kim Ki-nam 在展场中表示，采用 10 nm FinFET 制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小，是物联网（Internet of Things，IoT）演化进程中相当重要的一步。
并不是所有的半导体厂商都有三星这么快的速度，此前英特尔 CEO 就表示 10nm 工艺会延迟，有消息称英特尔原定于 2016 年第二季度推出的 10nm Cannon Lake 平台将延期到第四季度，替补紧急上阵的 14nm Kaby Lake 平台也从 2016 年初延后到了 2016 年 9 月，这也就意味着英特尔的 10 nm FinFET 工艺要到 2017 年才能上线。
而台积电的计划是 2016 年第四季度量产 10nm FinFET 工艺，2018 年投产 7nm 10nm FinFET 工艺。根据规划， 台积电的 10nm、7nm 都会用上 EUV 极紫外技术，更遥远的 5nm 也会如此，而且还会加入新的多重电子束技术(multipe e-beam)。然而这种规划并没有具体的技术支持，很有可能流产或者延期。
三星已经凭借 14 nm FinFET 工艺拿下了苹果大部分的 A9 处理器订单，而 2016 后的 A10 处理器也将会采用三星的 10 nm FinFET 工艺。
今年年初发布的 Galaxy S6 使用的 Exynos 7420 处理器正是采用 14 nm FinFET 工艺制程，博得业界极大地关注以及肯定。更小的制程同样也为三星的处理器带来了更低功耗以及更强性能。更值得人们关注的是三星目前的处理器架构也从 planar 进化到了 3D FinFET 架构上。该架构与英特尔的 Tri-gate 技术所达到的目的是一样的，都是为了提升处理器晶体管数量，从而带来更高的处理性能。
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王晓易_NE0011
