新款SiC/Si混合IGBT面世 结合能源和成本效益

盖世汽车讯 据外媒报道，在2019年欧洲PCIM电力电子贸易展上，安森美半导体公司展示新款基于碳化硅（SiC）的混合IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，以及隔离高电流IGBT门驱动器。这些产品采用硅基IGBT，结合SiC肖特基二极管技术，充分利用SiC技术的效率优势和硅的成本优势。

AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止式IGBT和SiC肖特基二极管技术，在多种电力应用中，降低传导损耗和开关损耗，包括那些将受益于反向恢复损耗减少的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正（PFC）和变流器。硅基解决方案性能较低，完全基于SiC的解决方案成本又较高，该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管联合封装，在性能和成本之间实现良好平衡。它的额定工作电压为650V，能处理高达100 A @ 25°C (50 A @ 100°C)的连续电流，以及高达200 A的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统，正温度系数让并行操作变得简单易行。

现代电动汽车不仅依靠能源行驶，在某些情况下，还可以储存能源，在高峰时间为家庭供电。因此，需要一个双向充电器，能够高效率开关充电，确保能源在传输过程中不致浪费。在此类用例中，带有外部SiC二极管的IGBT，比MOSFET解决方案更加有效，因为没有正向或反向复置损失。AFGHL50T65SQDC可以在最高175℃的结温下工作，适用于要求非常严格的电力应用，包括汽车在内。另外，它完全符合AEC-Q101标准，可用于电动汽车和混合动力汽车车载充电器。

除了新款混合IGBT，安森美半导体还将在PCIM上发布一系列隔离高电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电力应用，包括太阳能变流器、马达驱动器、不间断供电系统(UPS)和汽车应用，如动力系统和PTC加热器。

NCD(V)57000系列是高电流单通道IGBT驱动器，采用内部电流安全隔离设计，可在要求高的电力应用中高效运行。该器件具有互补输入、开路漏极故障和就绪输出、有源米勒箝位、精准欠压锁定、软关断去饱和DESAT保护、负门极电压引脚和独立高低驱动器输出，实现系统设计的灵活性。它的额定电流隔离值大于5 kVrms，符合UL1577标准；工作电压高于1200V；保证8mm爬电距离(输入>输出)，可满足强化安全隔离要求。NCD(V)57000可产生7.8A驱动电流和7.1A汲电流，超过若干竞品的三倍。更重要的是，在开关波形中的米勒高原运行时，电流能力更强。加上领先的保护功能，堪称为一流的IGBT驱动器。